[发明专利]多模双通终端

说明书

技术领域

本发明涉及通信领域，具体而言，涉及一种多模双通终端。

背景技术

长期演进（Long Term Evolution，LTE)和全球移动通信（Global System for Mobile communication，GSM）的多模双待双通终端可以为用户提供移动语音通话业务和高速数据业务。语音通过GSM网络传输，数据通过LTE网络传输。

在相关技术中，双射频方案能够解决电路域回落（Circuit Switched Fallback，CSFB）技术造成的数据业务中断、切换或挂起。并且，由于双射频方案的技术复杂度相对较低，因此为LTE发展语音业务早期的一个可以选择的业务。

图1为传统射频双芯片实现LTE/UMTS/GSM多模双通架构框图，如图1所示，LTE和GSM多模双通的终端主要由数字基带芯片、LTE射频模块、GSM射频模块、电源管理芯片等构成。LTE的射频模块使用两个天线，一个作为主路收发使用，另一个作为辅路接收使用。GSM射频模块由一个天线构成，GSM900和DCS1800共享一个天线。

在图1所示的多模终端中，GSM900频段发射对Band41频段接收干扰情况如图2所示。GSM900的发射信号主要由GSM900的有用信号、发射信号的各次谐波信号、发射信号的宽频白噪声组成。GSM900的三次谐波（2640MHz-2745MHz）部分落在了在Band7/41接收频段带内。

在图1所示的多模终端中，传统GSM900频段发射干扰Band41接收如图3所示。GSM发射端口A有GSM900有用信号、2次谐波、3次谐波（2640MHz-2745MHz）等。在A点有有用信号功率为33dBm,3次谐波强度约为-50dBm。GSM和LTE天线之间的隔离约为-15dB,则在LTE接收口B接收到的GSM的有用信号功率约为18dBm，GSM的3次谐波强度约为-65dBm。LTE天线开关的3次谐波约为85dBc，带内插损约为1dB，GSM的有用信号功率经过开关后，在C点产生的3次谐波约为-67dBm，在C点总的GSM有用信号的3次谐波约为-63.5dBm，GSM有用信号功率约为17dBm。Band41滤波器带内插损约为3dB，在900MHz附近的插损约为45dB，在LTE芯片Band41接收端口D接收到的GSM频段的有用信号约为-28dBm，GSM频段的3次谐波约为-70dBm。Band41接收端口会受到GSM频段内信号和其3次谐波的干扰。

综上所述，现有的双射频方案中，一个模块发射的信号会对另一个模块的接收造成干扰。

针对相关技术的多模双待双通终端中两个通信模块会相互干扰的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

发明内容

针对多模终端中两个不同通讯制式的通信模块会相互干扰的问题，本发明提供了一种多模双通终端，以至少解决上述问题。

根据本发明，提供了一种多模双通终端，包括：天线、支持第一通讯制式射频信号的接收和发射的第一射频收发模块、支持第二通讯制式射频信号的接收和发射的第二射频收发模块、第一射频开关、第二射频开关、第三射频开关和第四射频开关，其中，所述第一射频收发模块的第一路的高频段收发通路通过所述第一射频开关与所述天线连接，所述第一射频收发模块的第一路的低频段收发通路通过所述第二射频开关与所述天线连接；所述第二射频收发模块的高频段收发通路通过所述第三射频开关与所述天线连接，所述第二射频收发模块的低频段收发通路通过所述第四射频开关与所述天线连接。

优选地，所述天线包括：第一天线和第二天线，所述多模双通终端还包括：第一天线共享器Diplexer和第二Diplexer；其中，所述第一射频开关的公共接口与所述第一Diplexer的高通接口连接，所述第二射频开关的公共接口与所述第一Diplexer的低通接口连接，所述第一Diplexer的公共接口与所述第一天线连接；所述第三射频开关的公共接口与所述第二Diplexer的高通接口连接，所述第四射频开关的公共接口与所述第二Diplexer的低通接口连接，所述第二Diplexer的公共接口与所述第二天线连接。

优选地，还包括：第五射频开关和第六射频开关，其中，所述第一射频收发模块的第二路的高频段收发通路通过所述第五射频开关与所述天线连接，所述第一射频收发模块的第二路的低频段收发通路通过所述第六射频开关与所述天线连接。