[发明专利]发光二极管

说明书

技术领域

本发明涉及具有形成有发光层的芯片的发光二极管。

背景技术

发光二极管（LED：Light Emitting Diode）、激光二极管（LD：Laser Diode）等的发光器件得到实用化。这些发光器件通常具有形成了通过电压施加而放出光的发光层的发光芯片。发光芯片是通过在晶体生长用的基板的正面形成了包含发光层的多个半导体层的层叠体之后任意地分割该基板而得到的。

例如，在由分割预定线划分的蓝宝石基板的正面，使n型GaN层、InGaN层、P型GaN层依次进行外延生长，形成分别与n型GaN层和p型GaN层连接的电极。之后，如果沿着分割预定线分割蓝宝石基板，则得到放出蓝色或绿色的光的发光二极管用的发光芯片。

将该发光芯片的背面侧（蓝宝石基板侧）固定在成为基座的引线框上，使用透镜部件覆盖发光芯片的正面侧（层叠体侧），从而形成发光二极管。在这样的发光二极管中，亮度的提高被视为重要的课题，迄今为止已提出了用于提高光的取出效率的各种方法（例如，参照专利文献1）。

【专利文献1】日本特开平4－10670号公报

另外，通过电压施加而在发光层产生的光主要从包含发光层的层叠体的2个主面（正面和背面）放出。例如，从层叠体的正面（透镜部件侧的主面）放出的光通过透镜部件等被取出到发光二极管的外部。另一方面，从层叠体的背面（蓝宝石基板侧的主面）放出的光在蓝宝石基板上传播，其一部分在蓝宝石基板与引线框之间的界面等被反射并回到层叠体。

例如，以提高切削时的加工性等为目的使用薄的蓝宝石基板用于发光芯片时，层叠体的背面距蓝宝石基板与引线框之间的之间的距离变短。在该情况下，在蓝宝石基板与引线框之间的界面反射并回到层叠体的光的比例与蓝宝石基板厚的情况相比，变高。由于层叠体吸收光，因而当这样使用回到层叠体的光的比例高的发光芯片时，导致发光二极管的光的取出效率下降。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而作成的，本发明的目的是提供一种具有可提高光的取出效率的结构的发光二极管。

本发明的发光二极管，其特征在于，该发光二极管至少由以下部分形成：芯片，其在正面具有发光层；和透光性部件，其使用具有透光性的树脂来粘接在该芯片的背面与引线框之间，且使从该发光层出射的光透过，其中，该引线框对该芯片的背面进行支撑固定。

根据该结构，由于在具有发光层的芯片的背面侧具有使从发光层出射的光透过的透光性部件，因而可将在与引线框的界面反射并回到发光层的光的比例抑制得低，可提高光的取出效率。

在本发明的发光二极管中，该芯片可以在蓝宝石基板上层叠由GaN半导体层构成的发光层。根据该结构，在放出蓝色或绿色的光的发光二极管中，可提高光的取出效率。

根据本发明，可提供一种可提高光的取出效率的新结构的发光二极管。

附图说明

图1是示意性示出本实施方式涉及的发光二极管的结构例的立体图。

图2是示出从本实施方式涉及的发光二极管的发光芯片放出光的状况的截面示意图。

图3是示出从比较例涉及的发光二极管的发光芯片放出光的状况的截面示意图。

图4是示出亮度的测定结果的曲线图。

标号说明

1：发光二极管；11：引线框；11a：正面；12：发光芯片（芯片）；12a：正面；12b：背面；13：透光性部件；13a：正面；13b：背面；13c：侧面；14a：引线；14b：引线；15：透镜部件；111a：引线部件；111b：引线部件；112a：连接端子；112b：连接端子；121：蓝宝石基板；121a：正面；121b：背面；122：层叠体；122a：正面；122b：背面；A1：光路；A2：光路；B1：光路；B2：光路。

具体实施方式

以下，参照附图说明本发明的实施方式。图1是示意性示出本实施方式涉及的发光二极管的结构例的立体图，图2是示出从本实施方式涉及的发光二极管的发光芯片放出光的状况的截面示意图。如图1和图2所示，发光二极管1具有：成为基座的引线框11、和支撑固定在引线框11上的发光芯片（芯片）12。

引线框11使用金属等的材料形成为圆柱状，在与一个主面相当的背面侧设置了具有导电性的2个引线部件111a、111b。引线部件111a、111b相互绝缘，分别作为发光二极管1的正极、负极而执行功能。该引线部件111a、111b通过布线（未图示）等与外部的电源（未图示）连接。