[发明专利]半导体装置、制造方法和电子设备

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

图像拾取装置；

护罩玻璃，所述图像拾取装置和所述护罩玻璃被彼此粘接；

设置在所述图像拾取装置与所述护罩玻璃之间的膜,所述膜具有预定的具体重力并且被配置为遮蔽从所述护罩玻璃出现的α射线；以及

填充在所述图像拾取装置与所述护罩玻璃之间的透明树脂。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，满足下述表达式：

AX+BY≥C(μm)

其中，所述膜的厚度是A(μm)，所述透明树脂的厚度是B(μm)，所述膜的具体重力是X，所述透明树脂的具体重力是Y，并且所述护罩玻璃与所述图像拾取装置的成像面之间的距离是C，基于从所述护罩玻璃包含的铀放射的α射线的范围计算所述距离作为减少所述α射线的影响所需的距离。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述膜形成在所述护罩玻璃上。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述膜只形成在与设置所述图像拾取装置的像素的部分对应的区域。

5.一种半导体装置的制造方法，所述方法包括：

在护罩玻璃上形成具有预定的具体重力并且被配置为遮蔽从所述护罩玻璃出现的α射线的膜；以及

通过在所述护罩玻璃和所述图像拾取装置之间填充透明树脂粘接图像拾取装置与其上形成所述膜的所述护罩玻璃。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述膜形成为具有满足下述表达式的厚度：

AX+BY≥C(μm)

其中，所述膜的厚度是A(μm)，所述透明树脂的厚度是B(μm)，所述膜的具体重力是X，所述透明树脂的具体重力是Y，并且所述护罩玻璃与所述图像拾取装置成像面之间的距离是C，基于从所述护罩玻璃包含的铀放射的α射线的范围计算所述距离作为减少所述α射线的影响所需的距离。

7.根据权利要求5所述的方法，进一步包括，在所述护罩玻璃上形成所述膜之后，去除与划线对应的部分的所述膜。

8.一种配备有半导体装置和信号处理部的电子设备，所述信号处理部被配置为对从所述半导体装置输出的像素信号执行信号处理，所述半导体装置包括：

图像拾取装置；

护罩玻璃，所述图像拾取装置和所述护罩玻璃被彼此粘接；

设置在所述图像拾取装置与所述护罩玻璃之间的膜，所述膜具有预定的具体重力并且被配置为遮蔽从所述护罩玻璃出现的α射线；以及

填充在所述图像拾取装置与所述护罩玻璃之间的透明树脂。

9.根据权利要求8所述的电子设备，其中，满足下述表达式：

AX+BY≥C(μm)

其中所述膜的厚度是A(μm)，所述透明树脂的厚度是B(μm)，所述膜的具体重力是X，所述透明树脂的具体重力是Y，并且所述护罩玻璃和所述图像拾取装置的成像面之间的距离是C，基于从所述护罩玻璃包含的铀放射的α射线的范围计算所述距离作为减少所述α射线的影响所需的距离。

10.根据权利要求8所述的电子设备，其中，所述膜形成在所述护罩玻璃上。