[发明专利]一种基于重金属诱导有机半导体薄膜结晶取向的喷墨打印方法有效
| 申请号： | 201410072003.6 | 申请日： | 2014-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN103794725A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 王向华;秦梦芝;元淼;吕国强 | 申请（专利权）人： | 合肥工业大学 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人： | 何梅生 |
| 地址： | 230009 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 重金属 诱导 有机半导体 薄膜 结晶 取向 喷墨 打印 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于重金属诱导有机半导体薄膜结晶取向的喷墨打印方法，其特征在于：取基底，在所述基底的局部蒸镀重金属层，形成重金属区域、基底区域及重金属区域和基底区域的交界线；通过喷墨打印的方式，以重金属区域中的一点为打印起点、以基底区域中的一点为打印终点，制备有机半导体薄膜，令有机半导体薄膜在所述重金属区域的长度为Lr，令有机半导体薄膜的总长为Ls，令η=Lr/Ls，则η满足η=14.1%～76.5%。
2.根据权利要求1所述的基于重金属诱导有机半导体薄膜结晶取向的喷墨打印方法，其特征在于：所述重金属层所用重金属的原子序数大于26。
3.根据权利要求1所述的基于重金属诱导有机半导体薄膜结晶取向的喷墨打印方法，其特征在于：所述重金属层的厚度为5～50nm。
4.根据权利要求1所述的基于重金属诱导有机半导体薄膜结晶取向的喷墨打印方法，其特征在于：所述重金属层的表面能色散分量比所述基底的表面能色散分量大5%～15%。
5.根据权利要求1所述的基于重金属诱导有机半导体薄膜结晶取向的喷墨打印方法，其特征在于：所述有机半导体薄膜为6,13-双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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