[发明专利]纳米结构的转移方法有效
| 申请号: | 201410070781.1 | 申请日: | 2014-02-28 |
| 公开(公告)号: | CN104876177B | 公开(公告)日: | 2016-10-19 |
| 发明(设计)人: | 何宇俊;李东琦;李天一;魏洋;姜开利;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 纳米 结构 转移 方法 | ||
1.一种纳米结构的转移方法,包括以下步骤:
提供一生长基底,该生长基底表面具有一纳米结构层;
提供一粘胶层覆盖所述纳米结构层;
通过移动所述粘胶层和所述生长基底中至少一个,使所述粘胶层远离所述生长基底,从而使所述纳米结构层与所述生长基底分离,至少部分纳米结构层从所述粘胶层暴露出来;
提供一目标基底,将该粘胶层与所述目标基底层叠设置,使所述纳米结构层位于所述粘胶层与所述目标基底之间,并与所述目标基底接触设置;
在所述粘胶层远离目标基底的表面设置一金属层;
提供一有机溶剂,使该有机溶剂从所述粘胶层与纳米结构层接触的界面渗透使所述粘胶层分解;以及
采用外力使所述粘胶层连同所述金属层与所述纳米结构层及目标基底分离。
2.如权利要求1所述的纳米结构的转移方法,其特征在于,所述粘胶层远离目标基底的表面完全被金属层覆盖,而所述粘胶层的侧面未被所述金属层覆盖。
3.如权利要求1所述的纳米结构的转移方法,其特征在于,所述金属层和粘胶层发生褶皱时,将所述形成金属层后的结构从有机溶剂中移出并放入水中。
4.如权利要求1所述的纳米结构的转移方法,其特征在于,所述纳米结构层的厚度小于等于1微米。
5.如权利要求1所述的纳米结构的转移方法,其特征在于,所述纳米结构层包括碳纳米管层或石墨烯层。
6.如权利要求1所述的纳米结构的转移方法,其特征在于,所述金属层的材料为钛、金、铬或铝。
7.如权利要求1所述的纳米结构的转移方法,其特征在于,所述金属层的厚度不小于10纳米。
8.如权利要求7所述的纳米结构的转移方法,其特征在于,所述金属层为50纳米厚的金膜。
9.如权利要求1所述的纳米结构的转移方法,其特征在于,所述有机溶剂为乙醇、甲醇或丙酮。
10.如权利要求1所述的纳米结构的转移方法,其特征在于,所述粘胶层由聚甲基丙烯酸甲酯、聚二甲基硅氧烷或聚酰亚胺形成。
11.如权利要求1所述的纳米结构的转移方法,其特征在于,将所述形成金属层后的结构放入有机溶剂中,给金属层远离粘胶层的整个表面提供一均匀向上的力。
12.如权利要求1所述的纳米结构的转移方法,其特征在于,将所述形成金属层后的结构放入有机溶剂中,给目标基底远离粘胶层的表面提供一均匀向下的力。
13.一种纳米结构的转移方法,包括以下步骤:
提供一第一基底,该第一基底的表面设置有一纳米结构层;
通过一粘胶层使所述纳米结构层与所述第一基底分离,分离后的所述纳米结构层至少部分从所述粘胶层暴露出来;
提供一第二基底,将所述第二基底和所述粘胶层层叠设置,并使所述纳米结构层位于所述第二基底和所述粘胶层之间,所述至少部分从所述粘胶层暴露出来的纳米结构层与所述第二基底的表面接触;以及
提供一有机溶剂和一外力,使该有机溶剂从粘胶层与纳米结构层接触的界面,以及粘胶层与所述第二基底接触的界面渗透,并利用所述外力使所述粘胶层与所述纳米结构层及第二基底分离。
14.如权利要求13所述的纳米结构的转移方法,其特征在于,提供一阻挡层设置在所述粘胶层远离所述第二基底的表面。
15.如权利要求13所述的纳米结构的转移方法,其特征在于,所述阻挡层包括一金属层。
16.如权利要求15所述的纳米结构的转移方法,其特征在于,所述金属层的材料为钛、金、铬或铝。
17.如权利要求13所述的纳米结构的转移方法,其特征在于,所述外力为水的表面张力和浮力。
18.如权利要求17所述的纳米结构的转移方法,其特征在于,所述外力进一步包括一给金属层远离粘胶层的整个表面所提供的均匀向上的力。
19.如权利要求17所述的纳米结构的转移方法,其特征在于,所述外力进一步包括一给目标基底远离粘胶层的整个表面提供一均匀向下的力。
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