[发明专利]具有多样性荷电表面的聚偏氟乙烯多孔膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 201410070433.4 申请日: 2014-02-28
公开(公告)号: CN103831024A 公开(公告)日: 2014-06-04
发明(设计)人: 何春菊;赵新振;秦爱文;马博谋;刘大朋;李翔 申请(专利权)人: 东华大学
主分类号: B01D71/34 分类号: B01D71/34;B01D69/02
代理公司: 上海申汇专利代理有限公司 31001 代理人: 翁若莹
地址: 201620 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 具有 多样性 表面 聚偏氟 乙烯 多孔 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种具有多样性荷电表面的聚偏氟乙烯多孔膜的制备方法,其特征在于,具体步骤包括:

第一步:将聚偏氟乙烯膜清洗晾干后,置于低温等离子体仪中进行预处理,将预处理后的聚偏氟乙烯膜放在空气中氧化;

第二步:将氧化后的聚偏氟乙烯膜浸于丙烯酸水溶液中进行表面接枝聚合反应,得到聚丙烯酸表面改性的PVDF膜;

第三步:将聚丙烯酸表面改性的PVDF膜清洗后,置于聚阴离子电解质溶液、聚阳离子电解质溶液或两性离子甜菜碱类聚合物溶液中进行吸附,清洗,得到具有荷电表面且其最外层表面为电负性、电正性或电中性的聚偏氟乙烯多孔膜。

2.如权利要求1所述的具有多样性荷电表面的聚偏氟乙烯多孔膜的制备方法,其特征在于,所述第一步中的预处理的处理条件为:膜与电极之间距离为5~10厘米,腔室内通入的放电气体为氦气、氧气或氮气,气体压力20~100帕,放电功率为50~150瓦,处理时间为30~180秒。

3.如权利要求1所述的具有多样性荷电表面的聚偏氟乙烯多孔膜的制备方法,其特征在于,所述第二步中的表面接枝聚合反应在氮气保护下进行,反应温度为50~80℃,反应时间为0.5~3小时。

4.如权利要求1所述的具有多样性荷电表面的聚偏氟乙烯多孔膜的制备方法,其特征在于,所述第三步中的吸附时间为10~300分钟,聚阴离子电解质溶液、聚阳离子电解质溶液以及两性离子甜菜碱类聚合物溶液的浓度为0.01-20%。

5.如权利要求1所述的具有多样性荷电表面的聚偏氟乙烯多孔膜的制备方法,其特征在于,还包括:第四步:将第三步所得的具有荷电表面且其最外层表面为电负性的聚偏氟乙烯多孔膜清洗后,浸于聚阳离子电解质溶液或两性离子甜菜碱类聚合物溶液中进行吸附,清洗,得到具有荷电表面且其最外层表面为电正性或电中性的聚偏氟乙烯多孔膜。

6.如权利要求5所述的具有多样性荷电表面的聚偏氟乙烯多孔膜的制备方法,其特征在于,还包括:第五步:将第四步所得的具有荷电表面且其最外层表面为电正性的聚偏氟乙烯多孔膜清洗后,浸于两性离子甜菜碱类聚合物溶液中进行吸附,清洗,得到具有荷电表面且其最外层表面为电中性的聚偏氟乙烯多孔膜。

7.如权利要求1所述的具有多样性荷电表面的聚偏氟乙烯多孔膜的制备方法,其特征在于,还包括:第四步:将第三步所得的具有荷电表面且其最外层表面为电正性的聚偏氟乙烯多孔膜清洗后,浸于聚阴离子电解质溶液或两性离子甜菜碱类聚合物溶液中进行吸附,清洗,得到具有荷电表面且其最外层表面为电负性或电中性的聚偏氟乙烯多孔膜。

8.如权利要求7所述的具有多样性荷电表面的聚偏氟乙烯多孔膜的制备方法,其特征在于,还包括:第五步:将第四步所得的具有荷电表面且其最外层表面为电负性的聚偏氟乙烯多孔膜清洗后,浸于两性离子甜菜碱类聚合物溶液中进行吸附,清洗,得到具有荷电表面且其最外层表面为电中性的聚偏氟乙烯多孔膜。

9.如权利要求1所述的具有多样性荷电表面的聚偏氟乙烯多孔膜的制备方法,其特征在于,所述的聚阳离子电解质溶液为壳聚糖溶液、聚4-乙烯基吡啶季铵盐溶液、聚二甲基二烯丙基氯化铵溶液或聚乙烯氯化亚胺溶液。

10.如权利要求1所述的具有多样性荷电表面的聚偏氟乙烯多孔膜的制备方法,其特征在于,所述的聚阴离子电解质溶液为海藻酸钠溶液、聚苯乙烯磺酸钠溶液、聚磷酸盐溶液、聚丙烯酸溶液或聚甲基丙烯酸溶液。

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