[发明专利]散热连接体及其制造方法、半导体装置及其制造方法、半导体制造装置

说明书

关联申请 

本申请享受以日本专利申请2013-185635号（申请日：2013年9月6日）为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。 

技术领域

本公开的实施方式涉及散热连接体、散热连接体的制造方法、半导体装置、半导体装置的制造方法、以及半导体制造装置。 

背景技术

将发热量大的半导体芯片与用于排出来自半导体芯片的热的散热用盘一起用模树脂密封。在半导体芯片上隔着连接器部件层叠散热用盘，其上表面从模树脂露出。 

如果为了使半导体装置小型化而减小半导体芯片，则还需要减小连接器部件以及散热用盘以对应于半导体芯片。但是，如果连接器部件变小，则难以在其上正确地层叠散热用盘，所以存在半导体装置的制造成品率恶化的危险。 

发明内容

本发明的实施方式提供一种能够改善半导体装置的制造成品率的散热连接体、散热连接体的制造方法、半导体装置、半导体装置的制造方法、以及半导体制造装置。 

实施方式提供一种散热连接体，搭载于半导体芯片上、并且与所述半导体芯片以及引线框一起被模树脂密封，其特征在于，具有：散 热部，具有块形状，并且从所述模树脂露出其上表面；以及连接部，从所述散热部的第1侧面延伸，并且对在所述半导体芯片上设置的电极和所述引线框进行电连接。进而，所述散热部以及所述连接部通过同一金属板一体地构成。 

附图说明

图1是第1实施方式所涉及的半导体装置的图。 

图2是第1实施方式所涉及的散热连接体的图。 

图3是用于说明第1实施方式所涉及的散热连接体的制造方法的图。 

图4是第1实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的流程图。 

图5是第1实施方式所涉及的半导体制造装置的示意图。 

图6是第1实施方式的变形例所涉及的散热连接体的图。 

图7是第2实施方式所涉及的散热连接体的图。 

图8是用于说明第2实施方式所涉及的散热连接体的制造方法的图。 

图9是第2实施方式的变形例所涉及的散热连接体的图。 

具体实施方式

以下，参照附图说明本发明的实施方式。但是本发明不限于这些实施方式。另外，对在所有附图中共同的部分，附加共同的符号，省略重复的说明。另外，附图是用于促进对发明的说明和其理解的示意图，其形状、尺寸、比例等也有与实际的装置不同的地方，但它们能够参考以下的说明和公知的技术而适宜地变更设计。在以下的实施方式中，半导体芯片的上下方向表示以设置半导体元件的面为上的情况下的相对方向，有时与依照重力加速度的上下方向不同。 

（第1实施方式） 

图1是第1实施方式所涉及的半导体装置10的图。 

图1（a）示出第1实施方式的半导体装置10的剖面，图1（b） 示出半导体装置10的上表面。其中，在图1（b）中，为了易于理解，省略模树脂19的图示。 

半导体装置10具备引线框11、半导体芯片13、连接器16、散热连接体18以及模树脂19。 

模树脂19密封了引线框11、半导体芯片13、连接器16以及散热连接体18。散热连接体18的上表面681从模树脂19露出。 

引线框11具备岛部12、和从岛部12隔开的第1端子部111以及第2端子部112。引线框11由导电体构成，例如，使用低电阻的金属来形成。岛部12是搭载半导体芯片13的搭载部。第1端子部111以及第2端子部112是与半导体芯片13的第1电极131以及第2电极132电连接的部分。 

半导体芯片13搭载于岛部12、并且具备第1电极131以及第2电极132。半导体芯片13的种类可以是任意的，没有特别限定。 

连接器16设置于第2电极132和第2端子部112上，与第2电极132和第2端子部112电连接。连接器16也由导电体构成，例如，使用低电阻的金属来形成。 

散热连接体18设置于半导体芯片13的第1电极131和第1端子部111上，与第1电极131和第1端子部111电连接。散热连接体18是使用电气传导性以及热传导性良好的金属（例如，铜等）而形成的。因此，该散热连接体18不仅具有向半导体装置10的外部排出来自半导体芯片13的热的功能，而且还一并具有将第1电极131和第1端子部111电连接的功能。 

图2是第1实施方式所涉及的散热连接体18的图。 

图2（a）示出散热连接体18的剖面，图2（b）示出散热连接体18的上表面。