[发明专利]半导体器件和电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件，其包括：

器件区域，其具有包括沟道部的半导体层；

器件周边区域，其邻接所述器件区域；

栅极电极，其设置在所述器件区域内，且具有跨越所述器件区域和所述器件周边区域的边界部；

导电层，其设置在所述栅极电极与所述半导体层之间；和

绝缘层，其设置在所述半导体层与位于所述边界部处的所述栅极电极之间，

其中，所述导电层在所述器件区域内设置成位于所述绝缘层与所述半导体层之间，且所述导电层的一部分与所述栅极电极接触。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导电层设置在所述器件区域的端部上。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体层包括具有彼此不同的带隙的第一半导体层和第二半导体层。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层从所述栅极电极侧开始依次布置，且所述沟道部设置在所述第二半导体层中。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，源极/漏极电极在所述器件区域内电连接到所述半导体层。

6.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述导电层向所述半导体层施加来自所述栅极电极的电压，且所述器件区域的端部的阈值电压等于或高于所述器件区域的中心的阈值电压。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导电层是使用如下p型半导体来构造的，所述p型半导体由与用于构造所述半导体层的材料体系相同的材料体系制成。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导电层由比所述栅极电极的构成材料具有更大的功函数的金属材料制成。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的半导体器件，其中，所述半导体层在所述器件区域与所述器件周边区域之间具有台阶，且所述绝缘层覆盖所述半导体层的所述台阶。

10.根据权利要求1-8中任一项所述的半导体器件，其中，所述器件周边区域内的所述半导体层受到高电阻化处理。

11.根据权利要求1-8中任一项所述的半导体器件，其中，所述导电层从所述绝缘层被扩宽成与所述栅极电极接触。

12.根据权利要求1-8中任一项所述的半导体器件，其中，所述导电层与所述半导体层彼此平齐。

13.根据权利要求1-8中任一项所述的半导体器件，其还包括设置在所述栅极电极与所述半导体层之间的栅极绝缘层。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述栅极绝缘层具有开口，且所述导电层通过所述开口与所述栅极电极接触。

15.根据权利要求1-8中任一项所述的半导体器件，其中，所述导电层的侧面与所述栅极电极接触。

16.一种电子装置，所述电子装置具有根据权利要求1-15中任一项所述的半导体器件。