[发明专利]一种利用多缺陷光子晶体微腔产生矢量光束的装置有效
| 申请号： | 201410069030.8 | 申请日： | 2014-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN103869386A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 赵建林;赵晨阳;甘雪涛;庞燕;刘圣 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | G02B1/02 | 分类号： | G02B1/02;G02B6/00 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用 缺陷 光子 晶体 产生 矢量 光束 装置 | ||
1.一种利用多缺陷光子晶体微腔产生矢量光束的装置，其特征在于包括半导体材料（1）、空气孔（2）和光子晶体微腔（3）；半导体材料（1）为具有厚度d的平板，平板上均匀分布若干空气孔（2），缺失空气孔的部位形成光子晶体微腔（3）；所述光子晶体微腔（3）为多个，且对称分布。
2.根据权利要求1所述利用多缺陷光子晶体微腔产生矢量光束的装置，其特征在于：所述光子晶体微腔（3）为三个时，三个光子晶体微腔（3）形成三角形的三缺陷微腔结构。
3.根据权利要求1所述利用多缺陷光子晶体微腔产生矢量光束的装置，其特征在于：所述光子晶体微腔（3）为四个时，四个光子晶体微腔（3）形成四边形的四缺陷微腔结构。
4.根据权利要求1所述利用多缺陷光子晶体微腔产生矢量光束的装置，其特征在于：所述光子晶体微腔（3）为六个时，六个光子晶体微腔（3）形成正六边形的六缺陷微腔结构。
5.根据权利要求1所述利用多缺陷光子晶体微腔产生矢量光束的装置，其特征在于：所述半导体材料模式的波长范围能够覆盖近紫外到红外波段。
6.根据权利要求1所述利用多缺陷光子晶体微腔产生矢量光束的装置，其特征在于：所述半导体材料为高介质折射率材料，包括Ⅳ族和Ⅲ-Ⅴ族半导体材料。
7.根据权利要求1所述利用多缺陷光子晶体微腔产生矢量光束的装置，其特征在于：所述Ⅳ族和Ⅲ-Ⅴ族半导体材料为硅、磷化镓或砷化镓。
8.根据权利要求1所述利用多缺陷光子晶体微腔产生矢量光束的装置，其特征在于：所述三角晶格空气孔型光子晶体的晶格常数a与空气孔半径r之比为a:r=1:0.3。
9.根据权利要求1所述利用多缺陷光子晶体微腔产生矢量光束的装置，其特征在于：所述半导体材料的厚度为d=220nm。
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