[发明专利]一种在铁电晶体材料中制作畴反转光栅的极化电极结构无效
| 申请号： | 201410068516.X | 申请日： | 2014-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN103901697A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 梁万国;陈怀熹;宋国才;邹小林;周煌;缪龙;冯新凯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | G02F1/355 | 分类号： | G02F1/355 |
| 代理公司： | 福州科扬专利事务所 35001 | 代理人： | 俆开翟 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电晶体 材料 制作 反转 光栅 极化 电极 结构 | ||
1.一种在铁电晶体材料中制作畴反转光栅的极化电极结构，其特征在于：所述电极结构包括带正面的梳状光栅电极、背面的金属电极、正面减薄部分区域的铁电晶体材料以及覆盖在梳状光栅电极之间的SiO2介质层，主电极部分为马蹄形。
2.根据权利1所述的在铁电晶体材料制作畴反转光栅的极化电极结构，其特征在于：所述铁电晶体材料为纯铌酸锂LiNbO3、掺MgO铌酸锂MgO-LiNbO3、钽酸锂LiTaO3、磷酸氧钛钾KTiOPO4 (KTP)、Nd3+ 扩散铌酸锂Nd3+:LiNbO3、Er3+ 扩散铌酸锂Er3+:LiNbO3、砷酸钛氧铷RbTiOAsO4（RTA）、铌酸锶钡Sr0.6Ba0.4Nb2O6 S（SBN）、氟化钡镁BaMgF4或硝酸钾KNO3。
3.根据权利1或2所述的在铁电晶体材料制作畴反转光栅的极化电极结构，其特征在于：所描述的铁电晶体材料为大厚度短周期周期极化晶体材料，其厚度为毫米量级，大于1mm的晶体材料，长周期指的是周期大于10μm的，短周期指的是周期小于7μm。
4.根据权利1所述的在铁电晶体材料制作畴反转光栅的极化电极结构，其特征在于：所描述的极化电极结构在铁电畴方向呈周期性变化或准周期性变化。
5.根据权利1所述的在铁电晶体材料制作畴反转光栅的极化电极结构，其特征在于：所描述的极化电极结构所采用的电极材料为Al电极、Cr电极或Au电极。
6.根据权利1所述的在铁电晶体材料制作畴反转光栅的极化电极结构，其特征在于：在光刻制作出电极结构后，用HF略微减薄除电极结构外的铁电晶体材料，所减薄的位置为空穴处，空穴的深度为微米级，为5-20μm，此空穴处用SiO2覆盖。
7.根据权利1和权利7所述的在铁电晶体材料制作畴反转光栅的极化电极结构，其特征在于：所使用的SiO2掩膜层的折射率为1.45~1.50，厚度为200-1000nm。
8.根据权利1、权利6和权利7所述的在铁电晶体材料中制作畴反转光栅的电极结构，其特征在于：覆盖在金属主电极上的SiO2，通过套刻、显影、腐蚀等步骤去除，露出所需极化电极结构的金属部分。
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