[发明专利]参考电压产生装置

权利要求书

1.一种参考电压产生装置，接收电源电压并产生参考电压，该装置包括：

参考电压源，该参考电压源的输出端产生该参考电压；

电荷供应源，该电荷供应源连接该电源电压；

第一开关，其第一端耦接该参考电压源；

第二开关，其第一端耦接该电荷供应源；

电荷存储单元，耦接该第一开关的第二端以及该第二开关的第二端作为该参考电压产生装置的输出端，用以存储电荷并在该参考电压产生装置的输出端产生输出信号；以及

逻辑单元，接收该参考电压、该输出信号以及电源复位信号，用以控制该第一开关与该第二开关，

其中当接收到该电源复位信号时，该第一开关截止且该第二开关导通，以使该电荷供应源迅速对该电荷存储单元充电，且当该输出信号大于等于该参考电压时，该第一开关导通且该第二开关截止，以由该参考电压源将该输出电压维持在该参考电压。

2.如权利要求1所述的参考电压产生装置，其中该逻辑单元包括：

比较器，其非反相输入端接收该参考电压，该比较器的反相输入端接收该输出电压，用以判断该输出电压是否大于等于该参考电压。

3.如权利要求2所述的参考电压产生装置，其中该比较器还包括电源控制端，用以接收电源控制信号以判定是否关闭该比较器的电源。

4.如权利要求2所述的参考电压产生装置，其中该逻辑单元还包括：

第一或门，其第一输入端耦接该比较器的输出端，该第一或门的第二输入端接收该电源复位信号，该比较器的电源控制端耦接该第一或门的输出端，以及

第一反相器，其输入端耦接该第一或门的输出端，

其中，该第一开关的控制端耦接该第一反相器的输出端，且该第二开关的控制端耦接该第一或门的输出端，该第一开关及该第二开关以N型金属氧化物半导体场效应管或P型金属氧化物半导体场效应管实现。

5.如权利要求2所述的参考电压产生装置，其中该逻辑单元还包括：

第一或门，其第一输入端耦接该比较器的输出端，该第一或门的第二输入端接收该电源复位信号；

第一反相器，其输入端耦接该第一或门的输出端；

第二反相器，其输入端接收电源复位信号；

第二或门，其第一输入端耦接该第一反相器的输出端，该第二或门的第二输入端接收该电源复位信号；以及

与门，其第一输入端耦接该第一反相器的输出端，该与门的第二输入端耦接该第二反相器的输出端，

其中，该第一开关的控制端耦接该与门的输出端，且该第二开关的控制端耦接该第二或门的输出端，以及该第一开关以N型金属氧化物半导体场效应管实现，且该第二开关以P型金属氧化物半导体场效应管实现。

6.如权利要求2所述的参考电压产生装置，其中该逻辑单元还包括：

第一或门，其第一输入端耦接该比较器的输出端，该第一或门的第二输入端接收该电源复位信号；以及

第一反相器，其输入端耦接该第一或门的输出端，

其中，该第一开关以及该第二开关的控制端耦接该第一反相器的输出，以及该第一开关以N型金属氧化物半导体场效应管实现，且该第二开关以P型金属氧化物半导体场效应管实现。

7.如权利要求1所述的参考电压产生装置，其中该逻辑单元还包括：

第三开关，其第一端耦接该电荷存储单元、该第三开关的第二端接地、且该第三开关的控制端接收该电源复位信号，当接收到该电源复位信号时，该第三开关导通其两端以清除该电荷存储单元中的电荷。

8.如权利要求1所述的参考电压产生装置，还包括：

一电阻，耦接于该第一开关的第二端与该电荷存储单元之间。

9.一种参考电压产生方法，包括：

由电荷供应源对电荷存储单元充电，所述电荷存储单元提供输出电压

在所述电荷存储单元的电位不小于参考电压源的电位时，停止由所述电荷供应源向所述电荷存储单元充电，并由所述参考电压源维持所述输出电压。

10.如权利要求9所述的方法，其中，

由第一开关控制所述参考电压源，所述第一开关的第一端耦接该参考电压源的输出端；

由第二开关控制所述电荷存储单元，所述第二开关的第一端耦接该电荷供应源；以及

由逻辑单元接收所述参考电压源的电压，所述输出信号以及电源复位信号，用以控制该第一开关与该第二开关，

其中当接收到该电源复位信号时，该第一开关截止且该第二开关导通，以使该电荷供应源迅速对该电荷存储单元充电，且当该输出信号大于等于该参考电压时，该第一开关导通且该第二开关截止，以由该参考电压源将该输出电压维持在该参考电压。