[发明专利]一种基于半桥子模块电压源变流器的建模仿真方法有效

专利信息
申请号: 201410067803.9 申请日: 2014-02-27
公开(公告)号: CN103838966B 公开(公告)日: 2017-09-01
发明(设计)人: 郭高朋;温家良;尤夏;吴广禄;杨杰;药韬 申请(专利权)人: 国家电网公司;国网智能电网研究院
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 北京安博达知识产权代理有限公司11271 代理人: 徐国文
地址: 100031 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 半桥子 模块 电压 变流器 建模 仿真 方法
【权利要求书】:

1.一种基于半桥子模块电压源变流器的建模仿真方法,所述电压源变流器由三相构成,每相由上下两桥臂构成,每个桥臂由半桥子模块级联组成,每个半桥子模块包括并联的IGBT模块支路和电容器支路,所述IGBT模块支路由串联的IGBT模块组成,每个IGBT模块由IGBT器件以及与其反并联的二极管组成;其特征在于,所述方法包括下述步骤:

(1)建立半桥子模块和子模块组的等效电路和数学模型,使等效电路模拟半桥子模块和半桥子模块组的三种工作状态;每个半桥子模块组至少包括串联的2个半桥子模块;

(2)对半桥子模块组的数学模型进行简化,并确定每个桥臂的等效电路和每个桥臂的工作状态;

所述步骤(1)中,所述半桥子模块的等效电路包括电流引起的等效损耗电导r、两个二极管Dp和Dn、开关SW以及电压源Vo;所述二极管Dp和Dn串联后的支路与电压源Vo并联,所述开关SW与二极管Dp并联;所述电流引起的等效损耗电阻r的一端连接至二极管Dp和Dn的连接点;

所述半桥子模块的数学模型如下:

Vc=1C0tS×ic-Vc×gdt+Vc(0-)---<1>;]]>

Vo=S×Vc<2>;

其中:C为子模块中的电容;S是子模块的投切信号;g是电压引起的等效损耗电导;ic是电容的充放电电流;Vc(0-)是子模块电容电压的初始值;Vc是子模块中的电容电压;Vo是子模块的输出电压;

所述步骤(1)中,所述半桥子模块的三种工作状态包括:

闭锁状态:开关SW打开,S=1;i>0时,电流流过Dp,子模块被充电,输出电压为Vc;i<0时,电流流过Dn,输出电压为0;其中i是流过半桥子模块或半桥子模块组的电流;

解闭锁状态:开关SW闭合;S=1时,子模块被投入,电容被放电,输出电压为Vc;S=0时,子模块被切除,电容不会被充放电,输出电压为0,即式<2>;

半闭锁状态:开关SW打开,i<0,电流流过Dn,输出电压为0;i>0且S=0时,输出电压为0,即式<2>,电容不会被充电;i>0且S=1时,输出电压为Vc,即式<2>,电容被充电;

所述步骤(1)中,半桥子模块组的等效电路Ⅰ包括各子模块中电流引起的等效损耗电阻之和R、两个二极管Dp和Dn、开关SW以及电压源Vo1、Vo2……VoN;所述二极管Dp和Dn串联后的组成二级管支路;电压源Vo1、Vo2……VoN串联后组成电压源支路;所述二级管支路与电压源支路并联;所述开关SW与二极管Dp并联;所述各子模块中电流引起的等效损耗电阻之和R的一端连接至二极管Dp和Dn的连接点;

所述半桥子模块组的等效电路Ⅰ的数学模型如下:

Vcj=1C0tSj×ic-Vcj×gjdt+Vcj(0-)---<3>;]]>

Voj=Sj×Vcj <4>;

其中:Vcj,Voj,Sj,gj,Vcj(0-)分别为第j个半桥子模块的电容电压,输出电压,投切信号,电压引起的等效损耗电导和电容电压初始值;

半桥子模块组的三种工作状态与半桥子模块的三种工作状态相同。

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