[发明专利]平板型压接IGBT模块用接触式电极结构

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种用于平板型压接IGBT模块控制电极引出的接触式电极结构。

背景技术

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR（电力晶体管）的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

平板型压接IGBT模块主要由芯片、覆铜陶瓷基板（DBC）、上极板、下极板、电路板、外壳等部件组成，主要应用于直流输变电系统中。由于平板型IGBT模块采用压接形式连接，模块没有采用常规的电极引出设计，上极板整个板面为发射极，下极板整个板面为集电极，平板型压接IGBT模块在正常使用过程中，需要通过控制极施加电压，因此如何进行模块控制极的引出是一个关键问题，现有技术没有提供这方面设计的技术方案。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种适用于平板型压接IGBT模块的接触式电极结构，能够有效的解决平板型压接IGBT模块控制电极的引出问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

本发明的平板型压接IGBT模块用接触式电极结构，IGBT模块包括芯片、DBC、上极板、下极板、电路板、外壳，上极板为发射极，下极板为集电极；所述电路板与电极连接端子的上端面相接触，所述电极连接端子为拱桥形，位于外侧的面上设有通孔，并通过该通孔将电极连接端子固定于外壳上，完成外部电气引线与IGBT模块的电气连接。

优选的，所述的IGBT模块上设有两个电极连接端子，分别进行模块控制极G极和E极的引出。

优选的，所述电极连接端子通过紧固螺母和紧固螺钉穿过其外侧面上的通孔固定于外壳上，通过紧固螺钉完成外部电气引线与IGBT模块的电气连接。

优选的，所述电极连接端子由铜材制成。

进一步的，所述电极连接端子表面设有镍层。

更进一步的，所述镍层通过电镀形成。

优选的，所述电极连接端子设有通孔的侧面长于另一侧面，与上端面共同构成“η”型。

本发明的技术方案解决了平板型压接IGBT模块的控制电极引出问题，能够简单、方便、准确、有效的完成平板型压接IGBT模块内部IGBT芯片控制极的引出，完成IGBT模块的电气连接。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的有关本发明的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明接触式电极结构的电极连接端子的立体结构示意图；

图2是本发明接触式电极结构的电极连接端子的主视图；

图3是本发明接触式电极结构的电极连接端子的右视图；

图4是本发明接触式电极结构的电极连接端子的安装示意图；

图5是本发明安装有电极连接端子的IGBT模块结构示意图；

图6是本发明完成电极连接端子安装后的IGBT模块控制极效果图。

具体实施方式

本发明公开了一种平板型压接IGBT模块用接触式电极结构，IGBT模块包括芯片、DBC、上极板、下极板、电路板、外壳，上极板为发射极，下极板为集电极；所述电路板与电极连接端子的上端面相接触，所述电极连接端子为拱桥形，位于外侧的面上设有通孔，并通过该通孔将电极连接端子固定于外壳上，完成外部电气引线与IGBT模块的电气连接。

优选的，所述的IGBT模块上设有两个电极连接端子，分别进行模块控制极G极和E极的引出。

优选的，所述电极连接端子通过紧固螺母和紧固螺钉穿过其外侧面上的通孔固定于外壳上，通过紧固螺钉完成外部电气引线与IGBT模块的电气连接。

优选的，所述电极连接端子由铜材制成。

进一步的，所述电极连接端子表面设有镍层。

更进一步的，所述镍层通过电镀形成。

优选的，所述电极连接端子设有通孔的侧面长于另一侧面，与上端面共同构成“η”型。