[发明专利]半导体装置以及用于制造该半导体装置的方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：

在基底的外延层内形成下沟槽部分；

在下沟槽部分的表面上形成第一氧化物层；

在下沟槽部分内的第一氧化物层上形成牺牲埋层图案；

去除第一氧化物层的暴露部分，以暴露下沟槽部分的侧壁；

在下沟槽部分的侧壁和牺牲埋层图案的表面上形成第二氧化物层；

去除第二氧化物层、牺牲埋层图案和第一氧化物层，以在下沟槽部分的侧壁上形成上沟槽部分，上沟槽部分的宽度比下沟槽部分的宽度宽；

在下沟槽部分的表面、上沟槽部分的表面和基底的外延层的表面上形成栅极绝缘层；

通过在下沟槽部分和上沟槽部分内的栅极绝缘层上沉积多晶硅填充沟槽；

在外延层内形成主体区域；

通过蚀刻多晶硅在下沟槽部分内形成栅极；

通过离子注入到上沟槽部分的侧壁中形成源极区域；

在上沟槽部分内的栅极绝缘层上形成层间绝缘层图案；

形成接触沟槽以使源极区域和主体区域接触；

在接触沟槽上形成重掺杂杂质区域，重掺杂杂质区域具有杂质类型与主体区域的杂质类型相同的杂质并且具有比主体区域的杂质浓度高的杂质浓度；以及

用金属层填充接触沟槽。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，利用自对准接触蚀刻方法形成接触沟槽。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，层间绝缘层包括高温低压沉积氧化物。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，层间绝缘层包括硼磷硅玻璃膜。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，牺牲埋层图案由多晶硅或层间绝缘材料制成。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，通过回蚀多晶硅形成栅极。

7.一种用于制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：

在包括外延层的基底内形成下沟槽部分；

在下沟槽部分的表面上形成第一氧化物层；

在下沟槽部分内的第一氧化物层上沉积多晶硅；

在外延层内形成主体区域；

在下沟槽部分内形成栅极并且使第一氧化物层部分地暴露；

去除第一氧化物层的暴露部分，以暴露下沟槽部分的侧壁；

在栅极和下沟槽部分的侧壁上形成第二氧化物层以形成上沟槽部分，上沟槽部分的宽度比下沟槽部分的宽度宽；

在包括上沟槽部分的栅极上形成绝缘层；

在上沟槽部分内的绝缘层上形成层间绝缘层图案；

形成接触沟槽以接触主体区域；

在接触沟槽下面形成重掺杂杂质区域，重掺杂杂质区域具有杂质类型与主体区域的杂质类型相同的杂质并且具有比主体区域的杂质浓度高的杂质浓度；以及

用金属层填充接触沟槽。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，利用自对准接触蚀刻方法形成接触沟槽。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，层间绝缘层包括高温低压沉积氧化物。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，层间绝缘层包括硼磷硅玻璃膜。

11.根据权利要求7所述的方法，其中，通过回蚀多晶硅形成栅极。

12.根据权利要求7所述的方法，所述方法还包括：在形成栅极之后去除第一氧化物层之前，通过离子注入形成源极区域。

13.根据权利要求7所述的方法，所述方法还包括：在上沟槽部分的侧壁上形成第二氧化物层之后，通过离子注入形成源极区域。

14.根据权利要求7所述的方法，所述方法还包括：在去除第二氧化物层之后，通过离子注入形成源极区域。

15.根据权利要求12所述的方法，其中，接触沟槽被形成为与源极区域接触。