[发明专利]一种利用应力改善镁基氢化物释氢热力学的方法无效
| 申请号： | 201410065017.5 | 申请日： | 2014-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN103882396A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 张健;毛聪;华熳煜 | 申请（专利权）人： | 长沙理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 410114 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用 应力 改善 氢化物 热力学 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种利用应力改善镁基氢化物释氢热力学的方法，其特征在于：材料结构为磁致伸缩材料1与镁基氢化物2交替沉积的n[镁基氢化物/磁致伸缩材料]纳米多层薄膜结构，且在多层薄膜周围施加维数(一维/二维/三维)、强度、方向及各向同/异性可变的外加磁场。
2.如权利要求1所述的一种利用应力改善镁基氢化物释氢热力学的方法，其特征在于：所述交替沉积纳米多层薄膜的方法为磁控溅射法。
3.如权利要求1所述的一种利用应力改善镁基氢化物释氢热力学的方法，其特征在于：所述镁基氢化物为MgH2，其厚度约为20~800nm。
4.如权利要求1所述的一种利用应力改善镁基氢化物释氢热力学的方法，其特征在于：所述磁致伸缩材料为TbFe2超磁致伸缩材料，厚度为10~400nm。
5.如权利要求1所述的一种利用应力改善镁基氢化物释氢热力学的方法，其特征在于：所述磁场是由两块/四块/六块永磁体3异性相对置于多层薄膜的两侧/四侧/六侧而形成。
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