[发明专利]半导体发光装置、超辐射发光二极管以及投影仪

权利要求书

1.一种半导体发光装置，其特征在于，具备：

层叠结构体，其包括发光层以及夹着所述发光层的第1包覆层和第2包覆层；

第1电极，其与所述第1包覆层电连接；

第2电极，其与所述第2包覆层电连接；以及

第3电极，其与所述第2包覆层电连接，且配置于与配置了所述第2电极的位置不同的位置，

所述层叠结构体具有光波导，

所述光波导包括：

直线波导部，其沿着相对于所述层叠结构体的前端面的法线倾斜的直线，从设置于所述层叠结构体的前端面的光射出部延伸；以及

曲线波导部，其与所述直线波导部连接，并且包含具备具有曲率的形状的曲线波导，

注入到位于所述第1电极与所述第2电极之间的所述直线波导部的电流密度比注入到位于所述第1电极与所述第3电极之间的所述曲线波导部的电流密度大。

2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，

注入到位于所述第1电极与所述第2电极之间的所述直线波导部的电流密度比注入到位于所述第1电极与所述第3电极之间的所述直线波导部的电流密度大。

3.根据权利要求1或者2所述的半导体发光装置，其特征在于，

所述光波导被设置成从所述层叠结构体的前端面延伸至后端面。

4.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，

所述曲线波导部垂直地到达所述层叠结构体的后端面。

5.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，

所述曲线波导部形成在比所述光波导的中心更靠近所述层叠结构体的后端面侧。

6.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，

在所述层叠结构体的后端面形成有层叠了多个介电膜的高反射率膜。

7.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于，

在所述层叠结构体的前端面形成有极低反射率膜，所述低反射率膜是一层或者多层介电膜。

8.一种投影仪，其特征在于，包括：

权利要求1～7中的任意一项所述的半导体发光装置；

光调制装置，其根据图像信息对从所述半导体发光装置射出的光进行调制；以及

投射装置，其投射通过所述光调制装置形成的图像。