[发明专利]一种IC元件用碱性通用型去毛刺液

说明书

技术领域

本发明涉及半导体生产领域，具体的，涉及一种IC元件用去毛刺液。

背景技术

半导体生产流程由晶圆制造、晶圆测试、芯片封装和封装后测试组成，半导体封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。常用封装方式有：使用金属及新陶瓷的气密封装和使用树脂的非气密封装。现在的半导体IC的封装，树脂密封约达到90％。

树脂封装过程中，由于受到内部空腔、金属膜污垢、树脂质量等条件的制约，不可避免会产生毛刺(俗称溢料块)，如何去除毛刺成了影响IC元件质量的一个关键性问题。去毛刺是指在一定化学介质中通过化学反应去除树脂封装半导体元件上的树脂毛刺，使元件表面光亮、平整的一种工艺。

传统的去毛刺方法包括热能去刺、机械去刺、磨料去刺等，但是这些方法都存在不同程度的缺陷，如工艺过程复杂、生产成本(能源、设备等)增加、损伤元件等。

化学去毛刺是指通过在一定化学介质中，通过化学反应去除树脂封装半导体元件上的树脂毛刺，使元件表面光亮、平整的一种工艺。化学去毛刺法具有独特的优点，不受元件形状及尺寸的限制；生产效率高；设备简单，降低生产成本；无需电源，节省电力；工艺过程简单，操作方便；毛刺清除干净。但化学去毛刺法普遍具有的缺陷是容易对IC元件毛刺以外的部分造成损伤，影响到IC元件的外观和功能。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种IC元件用碱性通用型去毛刺液，其能够克服现有半导体树脂封装后处理中去毛刺方法的不足，去毛刺效率更高，同时最大限度的避免对IC元件毛刺以外的部分的损伤，使得处理后的元件外观和功能不受影响。

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种IC元件用碱性通用型去毛刺液，所述去毛刺液由如下重量百分数的组分组成：软化剂40～60％，有机碱20～40％，活化剂1～5％，络合剂0.1～3％，还原剂0.1～1％，金属抗氧化剂0～3％，金属防变色剂0.1～1％，表面活性剂0.1～1％，增稠剂0～2％，余量为去离子水。

其中，所述去毛刺液由如下重量百分数的组分组成：软化剂49.5％，有机碱31.5％，活化剂4.0％，络合剂0.5％，还原剂0.5％，金属抗氧化剂1.5％，金属防变色剂0.5％，表面活性剂0.5％，增稠剂1.5％，去离子水10％。

其中，所述软化剂为N-甲基吡咯烷酮、2-吡咯烷酮、N-乙基-2-吡咯烷酮、乙二醇单甲醚、二乙二醇单丁醚、甘油、甲醇、异丙醇、乙二醇、二缩三乙二醇中的一种或几种的混合物。

其中，所述有机碱为单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、N-甲基一乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N-乙酰乙醇胺、N，N-二甲基甲酰胺、四乙基氢氧化铵、三乙胺、甲醇钠中的一种或几种的混合物。

其中，所述活化剂为碳酸钠、碳酸钾、碳酸氢钠、氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化钡、氢氧化钙、氨水中的一种或几种的混合物。

其中，所述络合剂为三聚磷酸钠、次氮基三乙酸钠、乙二胺四乙酸二钠、乙二胺四乙酸四钠、酒石酸钠、海藻酸钠、葡萄糖酸钠、乙二胺四甲叉膦酸钠、聚丙烯酸钠、聚丙烯酰胺中的一种或几种的混合物。

其中，所述还原剂为羟基胺、硫酸羟胺、盐酸羟胺、硼氢化钠、硼氢化钾、甲磺酰肼、对甲苯磺酸肼、水合肼、甲醛、双氧水、亚硫酸钠、次磷酸钠、硫酸亚铁、氯化亚铁中的一种或几种的混合物。

其中，所述金属抗氧化剂为抗氧剂1010、抗氧剂1076、抗氧剂CA、抗氧剂164、抗氧剂168、抗氧剂DNP、抗氧剂DLTP、抗氧剂TNP、抗氧剂TPP、抗氧剂MB中的一种或几种的混合物。

其中，所述金属防变色剂为苯并三氮唑、甲基苯骈三氮唑、5-巯基-1-苯基四氮唑、巯基苯骈噻唑钠盐、尿素、钼酸钠、亚硝酸钠、POCA、磺化木质素中的一种或几种的混合物。

其中，所述表面活性剂为聚乙二醇、渗透剂JFC、聚乙二醇醚、全氟烷基磺酸钾、仲烷基磺酸钠、异辛醇硫酸钠、MOA-3PK、MOA-5PK、苯酚聚氧乙烯醚硫酸钠、OP-10中的一种或几种的混合物。

其中，所述增稠剂为硫酸钠、氯化钠、硼砂、CMC、HPMC、甲基纤维素、羟乙基纤维素、海藻酸钠、聚丙烯酸钠、聚丙烯酰胺、聚乙烯醇中的一种或几种的混合物。