[发明专利]电压电平转换电路和包括该电压电平转换电路的显示设备

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2013年2月25日向韩国知识产权局（KIPO）提交的韩国专利申请第10-2013-0019749号的优先权，通过引用将其全部内容结合于此。

技术领域

示例实施例一般地涉及半导体集成电路，并且更具体地，涉及电压电平转换电路和/或包括该电压电平转换电路的显示设备。

背景技术

半导体集成电路可以包括基于不同电压操作的多个功能块。例如，需要较高操作速度的核心块可以由较低电压驱动，并且输入/输出块可以由较高电压驱动。电平移位器（level shifter）可以用来转换在由不同电压驱动的电路之间传送的信号的电压电平。

所述电平移位器可以包括电压下转换器，以用于生成与输入信号相比具有减小的幅度的输出信号，但是一般地，所述电平移位器指示具有增加的幅度的电压上转换器。随着输入信号和输出信号之间的幅度差或者电压电平差的增加，电平移位器的驱动能力可能不足以将输入信号的跃变（transition）反映到输出信号的跃变。例如，电平移位器可以在内部电流路径上包括电阻器，以补偿不足的驱动能力。在这种情况下，该额外的电阻器会大大地增加电平移位器的大小以及功耗。

发明内容

发明构思的示例实施例提供了能够执行更稳定的电平移位操作、减小占用面积和/或减小功耗的电压电平转换电路。

发明构思的示例实施例提供了包括电压电平转换电路的显示设备，所述电压电平转换电路能够执行更稳定的电平移位操作、减小占用面积和/或减小功耗。

根据示例实施例，电压电平转换电路包括电压开关电路和电平移位电路。所述电压开关电路被配置成响应于开关信号而顺序地输出中间电压以及转换电压。所述电平移位电路被配置成使用所述中间电压锁存与输入信号相对应的电压电平，并且使用所述转换电压转换所锁存的电压电平以生成输出信号。

所述电压电平转换电路还可以包括开关信号生成器，所述开关信号生成器被配置成基于指示输入信号的跃变定时的输入控制信号来生成开关信号。

所述开关信号可以响应于所述输入控制信号而跃变到第一开关电压，并且在锁存时间间隔之后跃变到第二开关电压。

所述输入信号可以在第一电压和高于第一电压的第二电压之间跃变，并且所述输出信号可以在所述第一电压和高于所述第二电压的转换电压之间跃变。

所述电压开关电路可以包括第一（例如，P型金属氧化物半导体（P-type metal-oxide semiconductor，PMOS））晶体管和第二（例如，PMOS）晶体管。所述第一（例如，PMOS）晶体管可以被耦接在所述中间电压和电压节点之间，并且第一（例如，PMOS）晶体管的栅极被配置成接收所述开关信号。所述第二（例如，PMOS）晶体管可以被耦接在所述转换电压和所述电压节点之间，并且第二（例如，PMOS）晶体管的栅极被配置成接收所述开关信号的反相版本。

所述电平移位电路可以包括：第三（例如，PMOS）晶体管，其被耦接在所述电压节点和第一节点之间，所述第三（例如，PMOS）晶体管的栅极可以被耦接到输出所述输出信号的第二节点；第四（例如，PMOS）晶体管，其被耦接在所述电压节点和所述第二节点之间，所述第四（例如，PMOS）晶体管的栅极可以被耦接到所述第一节点；第五（例如，N型金属氧化物半导体（N-type metal-oxide semiconductor，NMOS））晶体管，其被耦接在所述第一节点和所述第一电压之间，所述第五（例如，NMOS）晶体管的栅极被配置成接收所述输入信号；以及第六（例如，NMOS）晶体管，其被耦接在所述第二节点和所述第一电压之间，所述第六（例如，NMOS）晶体管的栅极被配置成接收所述输入信号的反相版本。

所述中间电压可以包括第一中间电压和高于所述第一中间电压的第二中间电压。所述转换电压可以包括低于第一中间电压的第一转换电压和高于第二中间电压的第二转换电压。所述输入信号可以在第一电压和高于所述第一电压的第二电压之间跃变，并且所述输出信号可以在低于所述第一电压的第一转换电压和高于所述第二电压的第二转换电压之间跃变。

所述第一中间电压可以等于或者基本上等于所述第一电压，并且所述第二中间电压可以等于或者基本上等于所述第二电压。

所述电压开关电路可以包括：第一电压开关电路，其被配置成响应于所述开关信号而向第一电压节点顺序地输出第一中间电压和低于第一中间电压的第一转换电压；以及第二电压开关电路，其被配置成响应于所述开关信号而向第二电压节点顺序地输出第二中间电压和高于第二中间电压的第二转换电压。