[发明专利]选区SiGeSn层及其形成方法在审
| 申请号： | 201410064527.0 | 申请日： | 2014-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN103839789A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 肖磊;王敬;赵梅;梁仁荣;许军 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 选区 sigesn 及其 形成 方法 | ||
1.一种选区SiGeSn层的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供顶部具有SiGe层的衬底；
在所述SiGe层表面形成掩膜，并在所述掩膜上形成开口；
向所述SiGe层表层注入含有Sn元素的原子、分子、离子或等离子体，以在开口位置形成SiGeSn层。
2.如权利要求1所述的选区SiGeSn层的形成方法，其特征在于，所述注入的方法包括离子注入。
3.如权利要求2所述的选区SiGeSn层的形成方法，其特征在于，所述离子注入包括等离子体源离子注入和等离子体浸没离子注入。
4.如权利要求1所述的选区SiGeSn层的形成方法，其特征在于，所述注入的方法包括磁控溅射。
5.如权利要求4所述的选区SiGeSn层的形成方法，其特征在于，在利用所述磁控溅射注入的过程中，在所述衬底上加载负偏压。
6.如权利要求4或5所述的选区SiGeSn层的形成方法，其特征在于，还包括，去除所述磁控溅射在所述SiGeSn层之上形成的Sn薄膜。
7.如权利要求6所述的选区SiGeSn层的形成方法，其特征在于，利用对SiGeSn和Sn具有高腐蚀选择比的溶液清洗以去除所述Sn薄膜。
8.如权利要求1所述的选区SiGeSn层的形成方法，其特征在于，所述注入的过程中对所述衬底加热，加热温度为100-600℃。
9.如权利要求1所述的选区SiGeSn层的形成方法，其特征在于，还包括，在所述注入之后，对所述SiGeSn层退火，退火温度为100-600℃。
10.如权利要求1所述的选区SiGeSn层的形成方法，其特征在于，所述SiGeSn层为应变SiGeSn层。
11.如权利要求10所述的选区SiGeSn层的形成方法，其特征在于，所述应变SiGeSn层的厚度为0.5-100nm。
12.如权利要求10所述的选区SiGeSn层的形成方法，其特征在于，所述应变SiGeSn层中Sn的原子百分含量小于20%。
13.如权利要求1-12任一项所述的选区SiGeSn层的形成方法，其特征在于，所述顶部具有SiGe层的衬底包括：绝缘体上SiGe衬底、表层为SiGe薄膜的Si衬底或Ge衬底。
14.一种选区SiGeSn层，其特征在于，通过如权利要求1-13任一项所述的方法形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
