[发明专利]供体基底

说明书

本申请要求于2013年3月29日在韩国知识产权局（KIPO）提交的题目为“DONOR SUBSTRATE AND METHOD OF FORMING TRANSFER PATTERN USING THE SAME（供体基底及使用其形成转印图案的方法）”的第10-2013-0034658号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

实施例涉及一种供体基底及一种使用该供体基底形成转印图案的方法。

背景技术

可以使用光热转换法作为在转印目标基底上形成有机/无机图案（以下称为转印图案）的方法。例如，光热转换法可被用于形成有机发光装置。

发明内容

实施例针对一种供体基底，所述供体基底包括：基础基底；光反射层，设置在基础基底上并与基础基底的一部分叠置；热阻挡图案，设置在光反射层上、与光反射层叠置并且包括多个气孔；光热转换层，设置在基础基底上；转印层，设置在光热转换层上。

反射层可包括金属材料。

金属材料可包括铝、银或它们的合金。

光反射层可包括多个开口。

热阻挡图案可具有与光反射层相同的形状。

光热转换层可与热阻挡图案的开口和光反射层的开口叠置。

光热转换层可包括多个光热转换图案，光热转换图案被插入到热阻挡图案的开口和光反射层的开口中，光热转换图案和热阻挡图案可以设置有平坦的表面。

热阻挡图案的每个开口的直径可以是约1nm至约50nm。

热阻挡图案可包括氧化硅和氮化硅中的至少一种。

热阻挡图案的厚度可以为约10nm至约10μm。

光反射层可被设置在光热转换层上。

光热转换层可包括凹槽部，光反射层和热阻挡图案被插入到凹槽部中。

供体基底还可以包括设置在光热转换层与转印层之间的平坦化层，平坦化层覆盖光反射层和热阻挡图案。

实施例涉及还针对一种形成转印图案的方法，所述方法包括：在转印目标基底上设置供体基底，供体基底包括基础基底、设置在基础基底上并与基础基底的一部分叠置的光反射层、被设置为与光反射层叠置并且包括多个气孔的热阻挡图案、设置在基础基底上的光热转换层以及设置在光热转换层上的转印层，转印层接触转印目标基底；将光照射到供体基底上，以将转印图案转印在转印目标基底上；从转印目标基底去除供体基底。

转印图案可用作有机发光装置的部件。

转印图案可以是与有机发光装置的所述部件对应的空穴传输层或有机发光层。

光反射层可以包括多个开口。

热阻挡图案可具有与光反射层相同的形状。

光热转换层可与热阻挡图案的开口和光反射层的开口叠置。

光热转换层可包括多个光热转换图案，光热转换图案被插入到热阻挡图案的开口和光反射层的开口中，光热转换图案和热阻挡图案可以设置有平坦的表面。

光反射层可被设置在光热转换层上。

光热转换层可包括凹槽部，光反射层和热阻挡图案被插入到凹槽部中。

所述方法还可以包括设置在光热转换层与转印层之间的平坦化层以覆盖光反射层和热阻挡图案。

附图说明

通过参照附图详细描述示例实施例，对本领域技术人员来说特征将变得明显，其中：

图1是示出根据示例实施例的供体基底的平面图；

图2是沿图1的I-I'线截取的剖视图；

图3是示出图2的AA部位的局部放大图；

图4是示出根据示例实施例的光反射层的光反射率的曲线图；

图5A至图5C是示出根据示例实施例的转印图案的制造方法的工序剖视图；

图6是示出包括根据示例实施例的转印图案的有机发光装置的剖视图；

图7至图9是示出根据示例实施例的供体基底的剖视图。

具体实施方式

现在将参照附图在下文中更加充分地描述示例实施例；然而，它们可以以不同的形式来实施并且不应被解释为局限于这里阐述的实施例。确切地说，提供这些实施例使得本公开将是完全且彻底的，并且这些实施例将把示例实施例的范围充分地传达给本领域技术人员。在所绘图中，为了说明清晰起见，会夸大尺寸。相同的附图标记始终表示相同的元件。