[发明专利]一种高矫顽力纳米晶热压磁体及其制备方法

权利要求书

1.一种磁体的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

a)对通式为RE_eM_fFe_gB_h的HDDR纳米晶热压磁体作表面光洁处理；

b)采用RE_iM_j合金的粉末包裹步骤a)得到的表面光洁的HDDR纳米晶热压磁体形成复合物；

c)将步骤b)得到的复合物进行真空热处理，时间为1-5小时得到合金；

d)将步骤c)得到的合金进行切割得到所述的磁体；

其中，28≤e≤32；

0<f<7.2；

0<h<1.1；

g＝100-e-f-h；

RE为Pr、Nd、Tb或Dy的一种或两种以上；

M为Cu、Ga、Al、Nb或Co中的一种或两种以上；

50≤i≤90；

10≤j≤50；

所述通式为RE_eM_fFe_gB_h的HDDR纳米晶热压磁体的制备方法，包括如下步骤：

(1)将稀土过渡金属间化合物通过氢化-歧化-脱氢-再结合反应(HDDR)制备出各向异性纳米晶磁粉；

(2)将步骤(1)得到的纳米晶磁粉在磁场中取向成型得到磁体毛坯；

(3)将步骤(2)得到的毛坯装入热压模具，通过在高温下加压并保持若干分钟，得到HDDR纳米晶热压磁体；

并且，RE_iM_j合金的粉末采用以下步骤获得：

通过气流磨或机械破碎或氢破的方式将RE_iM_j合金破碎至粉末粒度小于200微米的RE_iM_j合金的粉末；

并且，步骤d)所得磁体的通式为RE_aM_bFe_cB_d，其中，

RE为Pr、Nd、Tb或Dy的一种或两种以上；

M为Cu、Ga、Al、Nb、Zr或Co中的一种或两种以上；

28≤a≤32；

0<b<7.3；

0<d<1.1；

c＝100-a-b-d。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)还包括高温脱氢处理经氢化-歧化-脱氢-再结合反应(HDDR)处理所得产物的步骤。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述氢化-歧化-脱氢-再结合反应(HDDR)处理的处理温度为750℃-850℃。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，取向磁场强度为2T，取向时间为5s。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤c)中真空热处理的温度为500-900℃。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤d)所得磁体的晶粒尺寸为250纳米至700纳米。