[发明专利]金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种金属氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：包括如下步骤，

a.在衬底上制备并图形化金属导电层作为栅极；

b.在所述金属导电层上沉积第一绝缘薄膜作为栅极绝缘层；

c. 采用不含锌的锡钽氧化物半导体材料作为原料在所述栅极绝缘层上沉积不含锌的锡钽氧化物薄膜并图形化形成有源层；

所述锡钽氧化物薄膜在氢氟酸中的刻蚀速率大于10nm/min且在硫酸、盐酸或者铝刻蚀液中的一种或者一种以上的刻蚀液中的刻蚀速率小于等于5nm/min；

d.在所述有源层上直接沉积金属层并以湿法刻蚀的方法直接在所述有源层上进行图形化作为源漏电极。

2.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述步骤c的图形化采用氢氟酸作为刻蚀液，氢氟酸的浓度为0.5%~51%。

3.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：

所述步骤d中的图形化具体采用硫酸、盐酸或者铝刻蚀液的任意一种或者一种以上的刻蚀液，所述硫酸的浓度范围为70%~96%，所述盐酸的浓度范围为30%~38%；所述铝刻蚀液包括硝酸、磷酸和醋酸；所述硝酸的浓度范围为1%~10%，所述磷酸的浓度范围为65%~75%，所述醋酸的浓度范围为5%~15%。

4.根据权利要求1至3任意一项所述的金属氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述步骤c具体采用物理气相沉积或溶胶-凝胶法沉积锡钽氧化物薄膜。

5.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述锡钽氧化物半导体材料中氧化钽占所述锡钽氧化物整体的重量百分比为0.1%~20%。

6.根据权利要求5所述的金属氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述锡钽氧化物半导体材料中氧化钽占所述锡钽氧化物整体的重量百分比为1%~10%。

7.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述有源层的厚度为20nm~200nm，所述有源层的载流子浓度小于10¹⁸cm^–3。

8.一种金属氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于：采用如权利要求1至7任意一项所述的方法制备而成。