[发明专利]非易失性存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器，包括：

一衬底；

一设于该衬底上的电荷撷取层；

一设于该电撷取层的缓冲层；以及

多个设于该缓冲层上的导电层。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中该缓冲层是由一具有低于这些多个导电层的刻蚀速率的材质所构成，该材质是选自于由氮化硅(Si₃O₄)及多硅氮化硅(Silicon-Rich Nitride)所组成的群组其中之一氮化材质；该缓冲层的厚度为至

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中该缓冲层是由一具有低于这些多个导电层的刻蚀速率的材质所构成，该材质是选自于由二氧化铪(HFO₂)、二氧化钛(TiO₂)、二氧化锆(ZrO₂)、氧化钽(Ta₂O₅)及氧化铝(Al₂O₃)所组成的群组其中之一高介电(High-K)材质；该缓冲层的厚度为至

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其中该电荷撷取结构包含有一底部氧化层、一设于该底部氧化层上的电荷撷取层及一设于该电荷撷取层上的顶部氧化层；同时，该电荷撷取层是选自于一氮化材质及一高介电材质其中之一材质所构成。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器，进一步包括：

一第一掺杂区，具有一条状且于一第一方向上延伸，该第一方向是垂直于一这些多个导电层所延伸的第二方向；以及

一第二掺杂区，具有一条状且于该第一方向上延伸；

其中，该电荷撷取层是布设于一介于该第一掺杂区与该第二掺杂区间的区域上。

6.一种非易失性存储器的制造方法，包括以下步骤：

于一衬底上形成一电荷撷取结构；

于该电荷撷取结构上形成一缓冲层；

于该缓冲层上形成一导电层；以及

图形化该导电层。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其中形成该缓冲层的步骤包含有形成一具有低于这些多个导电层的刻蚀速率的材质的层体，该层体的材质是选自于由氮化硅(Si₃O₄)及多硅氮化硅(Silicon-Rich Nitride)所组成的群组其中之一氮化材质；同时，该缓冲层的厚度为至

8.根据权利要求6所述的制造方法，其中形成该缓冲层的步骤包含有形成一具有低于这些多个导电层的刻蚀速率的材质的层体，该层体的材质选自于由二氧化铪(HFO₂)、二氧化钛(TiO₂)、二氧化锆(ZrO₂)、氧化钽(Ta₂O₅)及氧化铝(Al₂O₃)所组成的群组其中之一高介电(High-K)材质；同时，该缓冲层的厚度为至

9.根据权利要求6所述的制造方法，其中形成该电荷撷取结构的步骤包含有形成一底部氧化层、形成一设于该该底部氧化层上的电荷撷取层及形成一设于该电荷撷取层上的顶部氧化层；同时，形成该电荷撷取层包含有形成一选自于一氮化材质及一高介电材质其中之一的层体。

10.根据权利要求6所述的制造方法，进一步包含透过将该电荷撷取结构及经图形化后的导电层作为一可选择性掺杂该衬底的掩模，以形成一第一掺杂区及一第二掺杂区。