[发明专利]光学单元、成像设备、电子装置及母版

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年3月1日提交的日本在先专利申请JP2013-041074的权益，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本技术涉及光学单元、成像设备、电子装置以及母版，更具体地，涉及具有防反射功能的光学单元。

背景技术

相关领域的防反射技术的实例是通过在表面上形成多层的涂层或纳米结构来抑制表面反射的技术。在这类技术中，在表面上形成纳米结构的技术尤其吸引人们的注意，因为可以在相对宽的波长范围内表现出防反射效果。

日本专利第4404161号公开了通过在基底部件的表面上二维排列多个纳米结构而在基底部件的表面上形成波形面来抑制表面反射的技术。作为纳米结构，公开了相对于基底部件表面具有凸形的纳米结构（例如，参照图2）和相对于基底部件表面具有凹形（凹坑）的纳米结构（例如，参照图18）。

至今，关于相对于基底部件的表面具有凸形的纳米结构，已经对可以改善防反射特性的凸形进行了广泛的研究。不过，还期望改善相对于基底部件的表面具有凹形的纳米结构的防反射特性。特别是，在由具有凹形的这样的纳米结构构成的波形面中，期望改善具有以凹形在波形面的顶部和底部之间弯曲的弯曲面的波形面的防反射特性。

发明内容

因此，期望提供即使在波长等于或短于可见光的波长的波形面具有以凹形在波形面的顶部和底部之间弯曲的曲面，仍可以改善防反射特性的光学单元、成像设备、电子装置和母版。

根据本技术的实施方式，提供了一种具有防反射功能的光学单元。所述光学单元包括波形面，所述波形面的波长等于或短于可见光波长，所述波形面具有以凹形在波形面的顶部与底部之间弯曲的曲面。通过在垂直于波形面振动方向的平面内切割波形面获得的截面面积的拐点位于从振动中心朝向波形面的底部。

根据本发明的实施方式，提供了一种掩模，所述掩模包括波形面，所述波形面的波长等于或短于可见光的波长，所述波形面具有以凸形在波形面的顶部与底部之间弯曲的曲面。通过在垂直于波形面振动方向的平面内切割波形面而获得的截面面积的拐点位于从振动中心朝向波形面的顶部。

根据本技术的实施方式，提供了一种成像设备，所述成像设备包括光学系统，所述光学系统包括具有防反射功能的光学单元。所述光学单元包括波形面，所述波形面的波长等于或短于可见光的波长，所述波形面具有以凹形在波形面的顶部与底部之间弯曲的曲面。通过在垂直于波形面振动方向的平面内切割波形面而获得的截面面积拐点位于从振动中心朝向波形面的底部。

根据本技术的实施方式，提供了一种电子装置，所述电子装置包括显示设备，所述显示设备包括具有防反射功能的光学单元。所述光学单元包括波形面，所述波形面的波长等于或短于可见光的波长，所述波形面具有以凹形在波形面的顶部与底部之间弯曲的曲面。通过在垂直于波形面振动方向的平面内切割波形面而获得的截面面积的拐点位于从振动中心朝向波形面的底部。

根据光学单元、成像设备和电子装置的实施方式，所述光学单元包括波形面，所述波形面的波长等于或短于可见光的波长，以及通过在垂直于波形面振动方向的平面内切割波形面而获得的截面面积S的拐点位于从振动中心朝向波形面的底部。因此，即使波形面具有以凹形在波形面的顶部与底部之间的弯曲的曲面，仍可以改善防反射特性。

根据掩模的实施方式，所述掩模包括波形面，所述波形面的波长等于或短于可见光的波长，以及通过在垂直于波形面振动方向的平面内切割波形面而获得的截面面积S的拐点位于从振动中心朝向波形面的顶部。因此，通过掩模形状的转印，可以形成这样的波形面，其中，通过在垂直于波形面振动的方向的平面内切割波形面而获得的截面面积S的拐点位于从振动中心朝向波形面的底部。

附图说明

图1A是根据本技术第一实施方式的光学单元的配置实例的平面图；

图1B是在图1A中示出的光学单元表面的一部分的放大的透视图；

图2A是在图1A中示出的光学单元表面的一部分的放大的平面图；

图2B是沿图2A的线IIB-IIB截取的截面图；

图2C是沿图2A的线IIC-IIC截取的截面图；

图3是在图2B中示出的光学单元表面的一部分的放大的截面图；

图4是示出光学单元的波形面的截面的面积S相对于波形面的幅值A的变化的曲线图；

图5A是根据本技术第一实施方式的复制母版（replica master）的配置实例的平面图；

图5B是在图5A中示出的复制母版表面的一部分的放大的透视图；