[发明专利]垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法有效
| 申请号： | 201410059990.6 | 申请日： | 2014-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN104867832B | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 刘竹;张立荣 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 垂直 扩散 金属 氧化物 半导体 场效应 制造 方法 | ||
1.一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管的制造方法，其特征在于，包括：
在氮化硅层表面淀积绝缘层；
在设定温度下对所述绝缘层进行回流处理，所述设定温度小于漏源软击穿的阈值温度；
其中，所述漏源软击穿的阈值温度根据所述绝缘层的材料确定；
所述绝缘层为硼磷硅玻璃；
所述漏源软击穿的阈值温度为875℃；
所述设定温度大于800℃。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在氮化硅层表面淀积绝缘层之前，还包括：
在第一导电类型的衬底的表面生长所述第一导电类型的外延层；
在所述外延层的表面生长栅氧化层；
在所述栅氧化层的表面淀积多晶硅层；
对目标槽区内的所述多晶硅层进行刻蚀，露出所述栅氧化层；
利用所述多晶硅层被刻蚀区域作屏蔽，将第二导电类型的体区经所述栅氧化层注入至所述外延层中；
对所述体区进行驱入；
将所述第一导电类型的源区经所述栅氧化层注入至所述体区中；
在未被刻蚀的所述多晶硅层和所述露出的所述栅氧化层的表面生长所述氮化硅层；
利用所述氮化硅层在所述多晶硅层的侧壁形成的侧墙，将所述第二导电类型的接触区经所述栅氧化层注入至所述体区中。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氮化硅层的厚度小于所述多晶硅层的厚度。
4.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述绝缘层的厚度大于所述多晶硅层的厚度。
5.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述在设定温度下对所述绝缘层进行回流处理之后，还包括：
对目标槽区内的所述栅氧化层、所述氮化硅层和回流处理后的所述绝缘层进行刻蚀，露出所述源区的一部分和所述接触区；
在未被刻蚀的所述绝缘层、所述露出的所述源区的一部分和所述接触区的表面生长金属层。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述金属层的厚度大于所述栅氧化层、所述多晶硅层、所述氮化硅层和所述绝缘层的厚度之和。
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