[发明专利]一种Nd3+敏化的上/下转换双模荧光纳米材料及其合成方法无效

专利信息
申请号: 201410059634.4 申请日: 2014-02-23
公开(公告)号: CN103865538A 公开(公告)日: 2014-06-18
发明(设计)人: 张凡;李晓民;赵东元 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: C09K11/85 分类号: C09K11/85;C09K11/02
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人: 陆飞;盛志范
地址: 200433 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 nd sup 转换 双模 荧光 纳米 材料 及其 合成 方法
【权利要求书】:

1. 一种Nd3+敏化的上/下转换双模荧光纳米材料,其特征在于:是核@壳1@壳2@壳3结构的800 nm激发的上/下转换双模荧光纳米材料;包括以下四个组成部分:下转换发光层,上转换发光层,隔离层和钝化层;

其中,所述的核@壳1@壳2@壳3结构包括以下几种结构:下转换发光核@隔离层壳1@上转换发光层壳2@钝化层壳3;上转换发光核@隔离层壳1@下转换发光层壳2@钝化层壳3;下转换发光核@上转换发光层壳1@钝化层壳2;上转换发光核@下转换发光层壳1@钝化层壳2;上转换发光核@下转换发光层壳1;下转换发光核@上转换发光层壳1。

2. 根据权利要求1所述的Nd3+敏化的上/下转换双模荧光纳米材料,其特征在于所述下转换发光层包括基质和发光中心;其中,基质材料为:氟化物、氧化物,、硫氧化物或卤化物;氟化物为:CaF2、BaF2、LaF3、YF3、ZnF2、NaYF4、LiYF4、KYF4、BaYF4、NaGdF4或NaLuF4;氧化物为:La2O3、Y2O3、Gd2O3或Lu2O3;硫氧化物为Y2O2S、CaS2或La2S3;卤化物为Cs3Lu2Br9;发光中心为Ce3+、Pr3+、Nd3+、Sm3+、Eu3+、Tb3+、Dy3+、Ho3+、Er3+、Tm3+、Yb3+中的一种或者几种;发光中心的摩尔含量为0.01%~50%;该下转换发光层能在一定波长的激发下,发射出相对应的下转换荧光。

3. 根据权利要求1所述的Nd3+敏化的上/下转换双模荧光纳米材料,其特征在于所述上转换发光层包括基质、敏化中心和发光中心三部分;其中,基质材料为:氟化物、氧化物、硫氧化物或卤化物;氟化物为:CaF2、BaF2、LaF3、YF3、ZnF2、NaYF4、LiYF4、KYF4、BaYF4、NaGdF4或NaLuF4;氧化物为:La2O3、Y2O3、Gd2O3或Lu2O3;硫氧化物为Y2O2S、CaS2或La2S3;卤化物为Cs3Lu2Br9;敏化中心为Nd3+、Yb3+中的一种或者两种;敏化中心的摩尔含量为0.01%~60%;发光中心为Er3+、Tm3+、Ho3+中的一种或者几种;发光中心的摩尔含量为0.01%~10%;该上转换发光层能在一定波长的激发下,发射出相对应的上转换荧光。

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