[发明专利]低表面浓度轻掺杂区选择性发射极结构的制备方法

权利要求书

1.一种低表面浓度轻掺杂区选择性发射极结构的制备方法，其特征在于所述的制备方法步骤如下：

（1）腐蚀衬底表面：腐蚀清洗待制备的衬底表面，清洗完成后将衬底表面充分干燥；

（2）对衬底表面进行亲水性处理：将步骤(1)制备好的清洁衬底浸泡在氧化性溶液中，对衬底表面进行湿法化学氧化，使其表面具有良好的亲水性，然后将衬底表面充分干燥；

（3）轻掺区沉积磷源：采用旋涂或喷涂的方式，将磷源溶液沉积在衬底的其中一面，然后烘干；

（4）重掺区沉积磷源：以步骤（3）制备的衬底为基片，采用丝网印刷方式将磷墨或者硅墨沉积在旋涂了磷源的衬底表面上需要制备电极的区域，然后烘干；

（5）扩散制备选择性发射极结构：扩散炉升温，同时向扩散炉的扩散石英管内导入大氮；当扩散炉温度达到780-890℃后，将步骤（4）制备的清洁衬底放入扩散石英管的恒温区，密封扩散炉炉口；待扩散炉温度稳定后，向扩散石英管内导入氧气；所述的大氮流量为6-30slm；所述氧气的流量为0-3000sccm，所需时间约为45min；

（6）冷却取片：待扩散过程结束后将衬底取出冷却。

2.按照权利要求1所述的低表面浓度轻掺杂区选择性发射极结构的制备方法，其特征在于所述的步骤（2）中所述对衬底表面亲水性处理的方法是：将衬底浸泡在具有强氧化性的溶液中进行湿法化学氧化，使硅片衬底表面形成一薄层氧化硅膜；所述的强氧化性溶液包括硝酸或RCA三号液或RCA二号液或者双氧水，或采用阳极氧化进行表面氧化。

3.按照权利要求1所述的低表面浓度轻掺杂区选择性发射极结构的制备方法，其特征在于所述的衬底为硅片。

4.按照权利要求1所述的低表面浓度轻掺杂区选择性发射极结构的制备方法，其特征在于所述的轻掺杂磷源为磷盐配制的水溶液；所述磷盐配制水溶液的浓度范围为0.5～20%wt。