[发明专利]气液两相雾化流量可控清洗装置及清洗方法有效
申请号: | 201410058385.7 | 申请日: | 2014-02-20 |
公开(公告)号: | CN103779186A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 苏宇佳;吴仪 | 申请(专利权)人: | 北京七星华创电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;B08B3/04 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;陶金龙 |
地址: | 100016 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 两相 雾化 流量 可控 清洗 装置 方法 | ||
1.一种气液两相雾化流量可控清洗装置,其特征在于,所述装置包括与旋转臂连接的气液两相雾化喷头,所述旋转臂带动所述气液两相雾化喷头在晶片边缘与晶片中心之间做往复运动;所述喷头包括气体主管路、液体支管路、压电晶体,所述气体主管路的下端外侧壁设有与其贴合的环形结构的压电晶体,所述液体支管路设在所述压电晶体的下方并与所述气体主管路相通;通过控制所述压电晶体的电压使所述压电晶体产生形变,从而控制所述气体主管路的孔径,改变所述气体主管路中气体的压力和流速。
2.根据权利要求1所述的气液两相雾化流量可控清洗装置,其特征在于,所述喷头与所述旋转臂是一体的或以螺旋结构、卡套结构方式连接。
3.根据权利要求1所述的气液两相雾化流量可控清洗装置,其特征在于,所述气体主管路与所述压电晶体的接触面为向出气口收缩的锥形面。
4.根据权利要求1所述的气液两相雾化流量可控清洗装置,其特征在于,所述旋转臂为中空结构。
5.根据权利要求1所述的气液两相雾化流量可控清洗装置,其特征在于,所述液体支管路位于旋转臂内部。
6.根据权利要求1所述的气液两相雾化流量可控清洗装置,其特征在于,所述气体主管路位于旋转臂内部。
7.根据权利要求1所述的气液两相雾化流量可控清洗装置,其特征在于,所述气体主管路的孔径大于所述液体支管路的孔径。
8.根据权利要求1所述的气液两相雾化流量可控清洗装置,其特征在于,所述气体主管路中为气相,所述液体支管路中为液相流体。
9.一种基于权利要求1-8任一项所述的气液两相雾化流量可控清洗装置的清洗方法,其特征在于,
S1、提供待清洗的旋转晶片,所述喷头从晶片一端边缘开始工作;
S2、从晶片边缘到晶片中心过程中,控制所述压电晶体的电压使气体主管路的孔径逐渐变小且流量逐渐降低;至晶片中心到晶片边缘过程中,控制压电晶体电压使气体主管路的孔径逐渐变大且流量逐渐升高;
S3、从晶片另一端边缘到晶片中心过程中,控制所述压电晶体的电压使气体主管路的孔径逐渐变小且流量逐渐降低;至晶片中心到晶片边缘过程中,控制压电晶体电压使气体主管路的孔径逐渐变大且流量逐渐升高;
S4、重复步骤S2至S3的清洗工艺,直至完成晶片腐蚀均匀。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京七星华创电子股份有限公司,未经北京七星华创电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410058385.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:长U型铜管弯管机自动集料装置
- 下一篇:多功能超临界水热燃烧装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造