[发明专利]气液两相雾化流量可控清洗装置及清洗方法有效

专利信息
申请号: 201410058385.7 申请日: 2014-02-20
公开(公告)号: CN103779186A 公开(公告)日: 2014-05-07
发明(设计)人: 苏宇佳;吴仪 申请(专利权)人: 北京七星华创电子股份有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;B08B3/04
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人: 吴世华;陶金龙
地址: 100016 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 两相 雾化 流量 可控 清洗 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种气液两相雾化流量可控清洗装置,其特征在于,所述装置包括与旋转臂连接的气液两相雾化喷头,所述旋转臂带动所述气液两相雾化喷头在晶片边缘与晶片中心之间做往复运动;所述喷头包括气体主管路、液体支管路、压电晶体,所述气体主管路的下端外侧壁设有与其贴合的环形结构的压电晶体,所述液体支管路设在所述压电晶体的下方并与所述气体主管路相通;通过控制所述压电晶体的电压使所述压电晶体产生形变,从而控制所述气体主管路的孔径,改变所述气体主管路中气体的压力和流速。

2.根据权利要求1所述的气液两相雾化流量可控清洗装置,其特征在于,所述喷头与所述旋转臂是一体的或以螺旋结构、卡套结构方式连接。

3.根据权利要求1所述的气液两相雾化流量可控清洗装置,其特征在于,所述气体主管路与所述压电晶体的接触面为向出气口收缩的锥形面。

4.根据权利要求1所述的气液两相雾化流量可控清洗装置,其特征在于,所述旋转臂为中空结构。

5.根据权利要求1所述的气液两相雾化流量可控清洗装置,其特征在于,所述液体支管路位于旋转臂内部。

6.根据权利要求1所述的气液两相雾化流量可控清洗装置,其特征在于,所述气体主管路位于旋转臂内部。

7.根据权利要求1所述的气液两相雾化流量可控清洗装置,其特征在于,所述气体主管路的孔径大于所述液体支管路的孔径。

8.根据权利要求1所述的气液两相雾化流量可控清洗装置,其特征在于,所述气体主管路中为气相,所述液体支管路中为液相流体。

9.一种基于权利要求1-8任一项所述的气液两相雾化流量可控清洗装置的清洗方法,其特征在于,

S1、提供待清洗的旋转晶片,所述喷头从晶片一端边缘开始工作;

S2、从晶片边缘到晶片中心过程中,控制所述压电晶体的电压使气体主管路的孔径逐渐变小且流量逐渐降低;至晶片中心到晶片边缘过程中,控制压电晶体电压使气体主管路的孔径逐渐变大且流量逐渐升高;

S3、从晶片另一端边缘到晶片中心过程中,控制所述压电晶体的电压使气体主管路的孔径逐渐变小且流量逐渐降低;至晶片中心到晶片边缘过程中,控制压电晶体电压使气体主管路的孔径逐渐变大且流量逐渐升高;

S4、重复步骤S2至S3的清洗工艺,直至完成晶片腐蚀均匀。

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