[发明专利]存储装置、存储装置控制方法和电子设备

说明书

本发明提供了一种存储装置、存储装置控制方法和电子设备。所述存储装置包括：第一存储单元；非易失性的第二存储单元，所述第二存储单元的数据存取速度高于所述第一存储单元的数据存取速度；其中，所述第二存储单元用于存储所述存储装置的元数据，并且用作所述存储装置的数据缓存区。

技术领域

本发明涉及存储装置的领域，更具体地，本发明涉及一种存储装置、控制该存储装置的存储装置控制方法以及使用该存储装置的电子设备。

背景技术

目前，在传统的硬盘或新型的固态硬盘（SSD）中，通常配置有诸如SDRAM或DRAM的易失性存储单元作为硬盘的工作内存区域，并且同时也可以用作硬盘数据的高速缓冲区域，从而能够弥补硬盘相对于系统内存的慢速度。

然而，硬盘作为数据的存储设备，其数据正确、安全、稳定、一致非常重要。当系统出现异常断电时，由于作为硬盘数据的高速缓冲区域的SDRAM或DRAM的易失性，其中存储的数据以及元数据没有及时得到保存，从而出现数据丢失。为了解决该数据丢失问题，已经提出了相关的解决方案。在现有技术的一个解决方案中，提供超级电容，并且通过电容的电量来支持将易失性高速缓冲区域中的数据保存到磁盘。然而，超级电容尺寸大，对于追求便携性的存储装置并不适用；此外，随着存储装置的高速缓冲区域的增大，电容也需要相应增大，从而成本增加。在现有技术的另一个解决方案中，通过软件机制来保证数据一致性，诸如使用日志型文件系统。然而，该方案增加了软件的复杂性，同时不能完全保证数据的安全。

因此，希望提供一种存储装置和存储装置控制方法，其能够在存储装置内部提供快速的工作区以及数据缓存区，从而提高存储装置的整体存取速度和性能，并且能够避免由于异常断电造成的数据丢失。

发明内容

根据本发明实施例，提供了一种存储装置，包括：第一存储单元；非易失性的第二存储单元，所述第二存储单元的数据存取速度高于所述第一存储单元的数据存取速度；其中，所述第二存储单元用于存储所述存储装置的元数据，并且用作所述存储装置的数据缓存区。

此外，根据本发明实施例的存储装置，其中所述第二存储单元还用作所述存储装置所属的电子设备的操作系统以及应用的工作区。

此外，根据本发明实施例的存储装置，还包括：易失性的第三存储单元，其中所述第三存储单元用作所述存储装置所属的电子设备的操作系统以及应用的工作区。

此外，根据本发明实施例的存储装置，还包括：控制单元，控制周期性地将所述第二存储单元中存储的元数据以及缓存数据刷新到所述第一存储单元中。

此外，根据本发明实施例的存储装置，其中所述控制单元进一步控制在所述存储装置断电之后又重新上电时，将所述第二存储单元中存储的元数据以及缓存数据刷新到所述第一存储单元中。

此外，根据本发明实施例的存储装置，其中当启动、重启或唤醒所述存储装置所属的电子设备的操作系统时，所述操作系统调用所述第二存储单元中存储的元数据、缓存数据以及操作系统以及应用的状态数据。

根据本发明另一实施例，提供了一种存储装置控制方法，用于包括第一存储单元和非易失性的第二存储单元的存储装置，其中所述第二存储单元的数据存取速度高于所述第一存储单元的数据存取速度，所述存储装置控制方法包括：将所述存储装置的元数据存储到所述第二存储单元中；以及设置所述第二存储单元作为所述存储装置的数据缓存区。

此外，根据本发明另一实施例的存储装置控制方法，还包括：在设置所述第二存储单元作为所述存储装置的数据缓存区之后，设置所述第二存储单元用作所述存储装置所属的电子设备的操作系统以及应用的工作区。

此外，根据本发明另一实施例的存储装置控制方法，其中所述存储装置还包括易失性的第三存储单元，所述存储装置控制方法还包括：在设置所述第二存储单元作为所述存储装置的数据缓存区之后，设置所述第三存储单元用作所述存储装置所属的电子设备的操作系统以及应用的工作区。