[发明专利]一种在硅衬底上生长的氮化镓外延结构在审
| 申请号： | 201410057090.8 | 申请日： | 2014-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN104733511A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 陈振 | 申请（专利权）人： | 江西省昌大光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 330096 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 生长 氮化 外延 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种在硅衬底上生长的氮化镓外延结构，其特征在于：从下到上依次包括硅衬底层，氮化铝成核层，渐变AlXGa1-XN缓冲层，周期性GaN/AlGaN超晶格插入层，氮化镓层。
2.根据权利要求1所述一种在硅衬底上生长的氮化镓外延结构，其特征在于：所述硅衬底为硅（111）衬底。
3.根据权利要求1所述一种在硅衬底上生长的氮化镓外延结构，其特征在于：所述AlN成核层的生长温度为1020-1060℃，厚度为95-350nm。
4.根据权利要求1所述一种在硅衬底上生长的氮化镓外延结构，其特征在于：所述渐变AlXGa1-XN缓冲层中Al摩尔含量从下至上由0渐变到X，X为0.08-0.4。
5.根据权利要求1或4所述一种在硅衬底上生长的氮化镓外延结构，其特征在于：所述缓冲层AlXGa1-XN的厚度为200-1000nm。
6.根据权利要求1所述一种在硅衬底上生长的氮化镓外延结构，其特征在于：所述周期性GaN/AlGaN超晶格的生长温度为1000-1300℃，生长周期为5-100，每周期生长GaN的厚度为1-20nm，AlGaN的厚度为1-20nm。
7.根据权利要求1所述一种在硅衬底上生长的氮化镓外延结构，其特征在于：所述氮化镓外延层的厚度为0.5-3μm。
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