[发明专利]内部电压发生电路和包括其的半导体器件

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2013年9月12日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2013-0109846的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此，如同全文阐述。

技术领域

本公开的实施例总体而言涉及半导体集成电路，更具体地涉及内部电压发生电路和包括内部电压发生电路的半导体器件。

背景技术

通常，半导体器件从外部设备接收电源电压VDD和接地电压VSS以产生用于操作构成每个半导体器件的内部电路的内部电压。用于操作半导体器件的内部电路的内部电压可以包括供应至包括存储器单元的核心区的核心电压VCORE、用于驱动或过驱动字线的升压电压VPP、以及供应至核心区中NMOS晶体管的体区（或衬底）的反偏电压VBB。

核心电压VCORE可以是低于从外部系统供应的电源电压VDD的正电压。因而，可以通过将电源电压VDD降低至特定电平来产生核心电压VCORE。相反，升压电压VPP可以高于电源电压VDD，反偏电压VBB可以是低于接地电压VSS的负电压。因而，可能需要电荷泵电路来产生升压电压VPP和反偏电压VBB。

发明内容

各种实施例针对内部电压发生电路和包括内部电压发生电路的半导体器件。

根据一些实施例，一种内部电压发生电路包括电压发生器和检测电压发生器。电压发生器产生电平取决于内部温度的温度参考电压信号、电平是与内部温度无关的恒定值的分压参考电压信号、以及通过检测内部电压信号的电平而获得的选择参考电压信号。选择参考电压信号的电平根据第一测试模式信号来控制。检测电压发生器响应于温度参考电压信号而将分压参考电压信号和选择参考电压信号进行比较，以产生控制内部电压信号的泵浦操作的检测电压信号。

根据另外的实施例，一种内部电压发生电路包括比较驱动器和电平控制器。比较驱动器将选择参考电压信号与分压参考电压信号进行比较以控制检测电压信号的驱动。选择参考电压信号的电平根据内部电压信号和第一测试模式信号来控制，分压参考电压信号的电平是与内部温度无关的恒定值。检测电压信号控制内部电压信号的泵浦操作。电平控制器响应于第二测试模式信号而将温度参考电压信号与分压参考电压信号进行比较，以控制驱动检测电压信号的选择参考电压信号的电平。温度参考电压信号的电平取决于内部温度。

根据另外的实施例，一种半导体器件包括控制电路和内部电压发生电路。控制电路产生第一测试模式信号、第二测试模式信号和电源电压。内部电压发生电路响应于电源电压而产生参考电压信号，产生从参考电压信号获得的温度参考电压信号、分压参考电压信号和选择参考电压信号。另外，内部电压发生电路响应于温度参考电压信号而将选择参考电压信号和分压参考电压信号进行比较，以产生控制内部电压信号的泵浦操作的检测电压信号。温度参考电压信号的电平取决于内部温度。分压参考电压信号的电平是与内部温度无关的恒定值。选择参考电压信号的电平根据内部电压信号的电平和第一测试模式信号的电平来控制。

附图说明

结合附图和随附的具体描述，本发明的实施例将更加清楚，其中：

图1是说明根据本公开的一个实施例的内部电压发生电路的框图；

图2是说明图1的内部电压发生电路中包括的电压发生器的示意图；

图3是说明图1的内部电压发生电路中包括的检测电压发生器的电路图；

图4是说明图1中的内部电压发生电路的操作的图；以及

图5是说明包括根据本发明的一个实施例的内部电压发生电路的半导体器件的框图。

具体实施方式

下文中将参照附图描述本发明的各种实施例。然而，本文描述的实施例仅出于说明的目的，并非意图限制本发明的范围。