[发明专利]具有驱动器的数据单元及其制造方法和操作方法有效
申请号: | 201410055662.9 | 申请日: | 2009-03-05 |
公开(公告)号: | CN103762216B | 公开(公告)日: | 2018-07-06 |
发明(设计)人: | 沃纳·云林 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/105 | 分类号: | H01L27/105;H01L27/108;H01L21/8232 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体鳍状物 驱动器 数据单元 电连接 制造 邻近 延伸 | ||
本发明涉及具有驱动器的数据单元及其制造方法和操作方法。本发明揭示方法及装置,其中装置包括:第一半导体鳍状物,其具有第一栅极;第二半导体鳍状物,其邻近于所述第一半导体鳍状物且具有第二栅极;以及第三栅极,其在所述第一半导体鳍状物与所述第二半导体鳍状物之间延伸。在一些实施例中,所述第三栅极可不电连接到所述第一栅极或所述第二栅极。
本案是分案申请。该分案的母案是申请日为2009年3月5日、申请号为200980112123.1、发明名称为“具有驱动器的数据单元及其制造方法和操作方法”的发明专利申请案。
技术领域
本发明的实施例大体来说涉及电子装置,且更具体来说,在某些实施例中,涉及具有具驱动器的数据单元的电子装置。
背景技术
许多类型的电子装置具有多个数据单元。通常,所述数据单元各自包括一数据元件(例如,存储器元件、成像元件,或经配置以输出数据的其它装置(例如,各类传感器))及(在一些例子中)一存取装置(例如,晶体管或二极管)。大体上,存取装置控制对数据元件的存取,且数据元件输出指示所存储或所感测的数据的信号。
在一些电子装置中,来自所述数据元件的信号过弱而不能被可靠地感测到。通常,将所述数据元件制造成相对小以增加电子装置的功能性且降低其成本。但是,此实践的一个结果是一些数据元件输出相对弱(例如,低强度)的信号。结果,可难以使用所述信号来实现有用的目的,例如指示由数据元件存储或感测的数字值(例如,0、1、00、01等)或模拟值。
附图说明
图1到图29说明用于根据本技术的一实施例形成存取装置及驱动器的过程中的步骤;
图30说明可以图1到图29所说明的存取装置及驱动器形成的单一数据单元的电路示意图;
图31到图38说明用于形成连接到图1到图30的存取装置及驱动器的数据元件的过程;
图39及图40说明根据本技术的实施例的数据单元阵列的两个实施例;
图41到图57说明用于根据本技术的一实施例形成存取装置及驱动器的过程的第二实施例中的步骤;以及
图58到图63说明以通过图41到图57的过程产生的存取装置及驱动器形成的数据单元。
具体实施方式
图1说明用于形成存取装置及驱动器的过程中的第一步骤。所述过程可开始于提供衬底110。衬底110可包括半导体材料(例如,单晶或多晶硅、砷化镓、磷化铟)或具有半导体性质的其它材料。另外或其它,衬底110可包括上面可构造有电子装置的非半导体主体,例如,例如塑料或陶瓷加工面等主体。术语“衬底”包含各个制造阶段中的这些结构,包括未经处理的完整晶片、部分处理的完整晶片、完全处理的完整晶片、经切割晶片的一部分,或在经封装的电子装置中经切割晶片的一部分。
衬底110可包括上部掺杂区112及下部掺杂区114。上部掺杂区112的深度在衬底110的实质区域上可为大体上均匀的,且上部掺杂区112可与下部掺杂区114不同地掺杂。举例来说,上部掺杂区112可包括n+材料,且下部掺杂区114可包括p-材料,或反之亦然。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的