[发明专利]一种断路装置无效

专利信息
申请号: 201410055243.5 申请日: 2014-02-19
公开(公告)号: CN103997016A 公开(公告)日: 2014-08-20
发明(设计)人: 马丁·斯瑞伍;阿克塞尔·法比奥 申请(专利权)人: 菲尼克斯电气公司
主分类号: H02H3/20 分类号: H02H3/20
代理公司: 北京国林贸知识产权代理有限公司 11001 代理人: 李桂玲
地址: 德国布*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 一种 断路 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种断路装置,是用于过压保护装置的断路装置。

背景技术

由现有技术已知多种过压保护装置。

在使用这些过压保护装置中的大问题是在过压事件之后经常出现后续电流。

该后续电流通常导致过压保护装置的高损耗功率。在此出现剧烈的发热,该发热导致过压保护装置的不可逆转的损坏或破坏并且因此不仅仅是对于过压保护装置的危险而且也是对于环境的危险。

除此之外,经常为了快速导出过压事件必须观察过压保护装置的小的阻抗。如果现在出现后续电流,那么低阻抗是对于线路功能的危险,因为低阻抗在实际中表示短路。该短路可以导致线路功能的持续的损坏或破坏。

该问题在不同的过压保护装置中出现。然而这特别是出现在使用火花放电装置或填充气体的过压导出装置中并且特别是在直流电压系统中。

发明内容

作为本发明的目的在于提供一种断路装置,是用于过压保护装置的断路装置,其提供过压保护装置的安全断开。

按照本发明,一种断路装置,是一种用于过压保护装置的断路装置,所述断路装置与所述过压保护装置串联地运行,所述断路装置具有一个第一电流回路与第二电流回路并联连接的并联电路,其中,所述第一电流回路具有电压开关的过压保护元件,所述第二电流回路具有至少一个由形状记忆合金制造的导体部分,此外所述断路装置具有一个第一开关,所述第一开关与所述并联电路和所述过压保护装置串联连接,其中,所述开关通过所述由形状记忆合金制造的导体部分实现开关动作;所述第二电流电路与所述第一电流电路具有不同的低通特性。

进一步,所述过压保护装置具有压敏电阻和/或火花放电装置。

进一步,所述装置还具有阻抗,所述阻抗与所述第一开关并联连接;所述装置还具有第二开关,所述第二开关与所述第一开关和阻抗的并联电路串联连接并与所述过压保护装置串联连接,其中,所述阻抗(Z)的发热驱动所述第二开关动作。

进一步,所述阻抗具有正热电阻特性曲线。

附图说明

以下参照所附附图根据优选的实施方式进一步阐述本发明。

其中:

图1示出了与过压保护装置使用的本发明的第一实施方式的概

览图;以及

图2示出了与过压保护装置使用的本发明的第二实施方式的概

览图。

附图标记:AT可逆断路装置、过压保护装置、SK1第一电流回路、SK2第二电流回路、Z阻抗、FGL形状记忆合金、S1第一开关、S1第二开关、X可变电阻元件、L1导体、PE保护导体、W1、W2作用方向、GDT电压开关的过压保护元件、θ热连接。

具体实施方式

图1和2各示出与过压保护装置使用的本发明的示例性的实施方式的概览图。倘若没有在以下明确地指明附图,但附图应该是涉及所有实施方案。

图中虚线框示出了一种用于过压保护装置的断路装置RAT。

该断路装置RAT与过压保护装置串联地运行。该串联电路在导体L1与保护导体PE之间跨接。

断路装置AT具有第一电流回路SK1与第二电流回路SK2并联连接的并联电路。

在左边椭圆中示出的第一电流回路SK1具有电压开关的过压保护元件GDT。在右边椭圆中示出的第二电流回路SK2具有至少一个由形状记忆合金FGL制造的导体部分。在本发明的实施形式中各个电流回路SK1、SK2也可以具有另外的元件。第一开关S1与前述的并联电路以及过压保护装置串联连接。开关S1通过由形状记忆合金FGL制造的导体部分实现开关动作。

由形状记忆合金FGL制造的导体部分可以例如作为寄生元件和/或作为离散元件具有复合阻抗。

在此出现期望的情况,即第二电流电路与第一电流电路具有不同的低通特性。

过压事件与后续电流通常具有不同的高频特性。通过电流电路的选择的特征,因此过压事件首先流过第一电流回路SK1,而第二电流回路SK2由于高频特性通常仅仅有非常小的电流流过。

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