[发明专利]DBC陶瓷基板的成型铣切方法有效
申请号: | 201410055222.3 | 申请日: | 2014-02-18 |
公开(公告)号: | CN104051278B | 公开(公告)日: | 2016-11-02 |
发明(设计)人: | 方庆玲;吴小龙;吴梅珠;徐杰栋;刘秋华;胡广群;梁少文 | 申请(专利权)人: | 无锡江南计算技术研究所 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 龚燮英 |
地址: | 214083 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | dbc 陶瓷 成型 方法 | ||
技术领域
本发明涉及集成电路制造领域,更具体地说,本发明涉及一种DBC(Direct bond Copper,直接键合铜)陶瓷基板的成型铣切方法。
背景技术
DBC陶瓷母板是用DBC技术将铜箔直接烧结到Al2O3或AlN陶瓷表面制成的一种复合覆铜陶瓷板,具有高导热性、高的电绝缘性、电流容量大、机械强度高、与硅芯片相匹配的温度特性等特点。
从DBC陶瓷母板制造的图形线路板称为DBC陶瓷基板,常在电子封装领域作为功率器件基板。DBC陶瓷母板常用规格为138mm*190mm,而DBC陶瓷基板设计的尺寸通常较小,批量制造DBC陶瓷基板时,通常采用多板合拼,以提高母板材料利用率。合拼制造的DBC陶瓷基板在激光成型时,会残留一定厚度采用直接扳折方法将单元板分离开,以提高铣切效率。
更具体地,目前铣切DBC陶瓷基板单元板的技术是,铣切线为单元板边缘线,激光铣切残留一定厚度,采用直接扳折方法将单元板分离开,以提高铣切效率。但是,手动扳出单元板时,需要施加一定力度,板角受到应力更大,极易发生边角开裂、缺角等现象,使陶瓷基板报废。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷,提供一种能够大幅度避免成型铣切后取单元板时发生的边角开裂、缺角等问题的DBC陶瓷基板的成型铣切方法。
根据本发明,提供了一种DBC陶瓷基板的成型铣切方法,包括:
第一步骤,用于对陶瓷基板进行图形制作;其中在单元板外周的覆铜边框上制作铣切定位标靶,并且覆铜边框对应单元板铣切线位置采用避铜处理,其中单元板铣切线被布置成沿单元板边缘线以及边缘的外延线,外延线延长至母板边界;单元板第一面上布置第一面图案,第二面上布置第二面图案,并且,其中第一面图案和第二面图案在陶瓷母板的水平方向和竖直方向上均交错布置;
第二步骤,用于对陶瓷基板进行表面处理;
第三步骤,用于沿单元板铣切线对陶瓷基板进行成型铣切,并且使得单元板残留预定厚度;
第四步骤,用于手动直接扳折以将单元板分离开。
优选地,在第三步骤中单元板残留1/2~1/3的厚度。
优选地,DBC陶瓷基板的材料类型为脆性陶瓷材料。
优选地,在第一步骤中,在覆铜边框的四个角上分别布置一个铣切定位标靶,并在铣切线位置采取避铜处理。
优选地,覆铜边框的宽度介于10~30mm。
附图说明
结合附图,并通过参考下面的详细描述,将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征,其中:
图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的DBC陶瓷基板的成型铣切方法的流程图。
图2示意性地示出了根据本发明优选实施例的DBC陶瓷基板的成型铣切方法的示意图。
需要说明的是,附图用于说明本发明,而非限制本发明。注意,表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且,附图中,相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
具体实施方式
为了使本发明的内容更加清楚和易懂,下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
本发明在陶瓷基板合拼制造时,陶瓷母板外围会留有一定宽度(例如10~30mm宽)的覆铜边框,用来排布铣切定位标靶以及其他制造辅助图形。覆铜外边框在各单元板轮廓的外延线位置采用避铜设计,单元板铣切线沿单元板外边缘外延至母板边界。
DBC陶瓷基板单元板采用鸳鸯拼板方式,即两面图形(分别记为单元板第一面和单元板第二面)交错排列,以减小陶瓷板加工过程中的内应力,从而降低板翘出现的可能性。
图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的DBC陶瓷基板的成型铣切方法的流程图。其中,DBC陶瓷基板的材料类型包括Al2O3、AlN以及其它脆性陶瓷材料。
具体地说,如图1所示,根据本发明优选实施例的DBC陶瓷基板的成型铣切方法包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造