[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 201410054300.8 | 申请日： | 2014-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN103996703A | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 吉浦康博;多留谷政良;大月咏子 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：
半导体衬底；以及
背面电极，其设置在所述半导体衬底背面上，
在所述半导体衬底的与所述背面电极相对的所述背面的周缘部，形成有粗糙面图案。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述背面电极的与所述半导体衬底接触的面由钛构成。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，
所述背面电极由多个不同的金属层构成。
4.一种半导体装置，其特征在于，具有：
半导体衬底；以及
背面电极，其设置在所述半导体衬底背面上，
在所述半导体衬底的与所述背面电极相对的所述背面的周缘部，形成有硅化物层。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
所述硅化物层由使用Al、Co或Ni的硅化物构成。
6.根据权利要求4或5所述的半导体装置，其特征在于，
所述背面电极的与所述半导体衬底接触的面由钛构成。
7.根据权利要求4或5所述的半导体装置，其特征在于，
所述背面电极由多个不同的金属层构成。
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