[发明专利]阵列基板、阵列基板的制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括设置在基底上的栅电极、栅极绝缘层、有源层、源电极和漏电极以及像素电极；其特征在于，所述有源层具有导电区域、被所述源电极和漏电极覆盖的覆盖区域和包围于所述覆盖区域外侧的暴露区域；像素电极搭接在所述漏电极、所述有源层的暴露区域以及所述栅极绝缘层的上表面上。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层的暴露区域的宽度范围为0.5μm～1.0μm。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，还包括位于所述有源层与所述源电极和漏电极之间的欧姆接触层，所述欧姆接触层位于所述源电极和所述漏电极对应的区域。

4.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层的覆盖区域的厚度大于所述有源层的暴露区域的厚度。

5.一种阵列基板的制备方法，包括：在基底上形成包括栅电极的图形、栅极绝缘层、包括有源层的图形；其特征在于，还包括：

步骤1：通过构图工艺形成源电极和漏电极，使所述有源层具有导电区域、被所述源电极和漏电极覆盖的覆盖区域以及包围于所述覆盖区域外侧的暴露区域；

步骤2：在所述漏电极、所述有源层的暴露区域以及所述栅极绝缘层的上表面上形成像素电极。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1包括：

步骤101：在所述有源层的图形上方涂覆一层源漏电极层薄膜，并在所述源漏电极层薄膜上涂覆光刻胶，曝光、显影后对源漏电极层薄膜进行刻蚀以形成源电极和漏电极；

步骤102：对位于所述源电极和漏电极上保留的光刻胶进行处理，暴露出所述光刻胶外边缘下方的源电极和漏电极；

步骤103：对步骤102中暴露出的所述源电极和漏电极进行刻蚀，暴露出所述源电极和漏电极外边缘下方的有源层，形成所述有源层的暴露区域；

步骤104：剥离所述源电极和漏电极上的光刻胶。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述步骤102包括：采用六氟化硫和氧气对所述光刻胶进行轰击，使得所述光刻胶收缩，暴露出所述光刻胶外边缘下方的源电极和漏电极。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述六氟化硫的含量范围为30～50sccm，所述氧气的含量范围为1500～2500sccm，轰击功率范围为4500～5500W，处理时间范围为30～40s。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述步骤103包括：采用氯气和氧气对暴露出的所述源电极和漏电极进行刻蚀。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述氯气的含量范围为800～1000sccm，所述氧气的含量范围为1600～2000sccm，轰击功率范围为3500～4500W，压力范围为30～40mT，处理时间范围为35～85s。

11.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，还包括：通过构图工艺在所述有源层与所述源电极和漏电极之间形成包括欧姆接触层的图形，所述欧姆接触层位于所述源电极和所述漏电极对应的区域。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1还包括采用六氟化硫、氯气和氦气对所述欧姆接触层进行刻蚀，去掉所述有源层导电区域对应的欧姆接触层，保留所述源电极和漏电极对应的区域下方的欧姆接触层；同时，所述有源层的暴露区域也被部分刻蚀，使得所述有源层的覆盖区域的厚度大于所述有源层的暴露区域的厚度。

13.一种显示装置，包括阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为权利要求1-4任一项所述的阵列基板。