[发明专利]电子设备和降低差分变化的电子实现方法有效

专利信息
申请号: 201410050586.2 申请日: 2014-02-14
公开(公告)号: CN103997345B 公开(公告)日: 2017-09-12
发明(设计)人: S·G·布莱德斯利;P·迪罗尼恩;F·M·莫敦 申请(专利权)人: 美国亚德诺半导体公司
主分类号: H03M3/00 分类号: H03M3/00;H03F3/45;H03M1/12
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 金晓
地址: 美国马*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电荷 下降
【权利要求书】:

1.一种电子设备,包括:

第一开关,配置成接收第一差分输入并在导通时向第一节点提供第一差分输入;

第二开关,配置成接收第二差分输入并在导通时向第二节点提供第二差分输入,其中第一节点和第二节点是一对差分节点;

第一虚设电路元件,配置成在第二节点上注入电荷,以抵消第一节点上由第一开关在第一开关断开时注入的电荷;以及

第二虚设电路元件,配置成在第一节点上注入电荷,以抵消第二节点上由第二开关在第二开关断开时注入的电荷,

其中第一开关包括第一场效应晶体管,其中第二开关包括第二场效应晶体管,其中第一虚设电路元件包括第一虚设场效应晶体管,其中第二虚设电路元件包括第二虚设场效应晶体管,并且其中第一虚设场效应晶体管和第二虚设场晶体管中的每一个都具有偏置至电源轨电压的栅极。

2.根据权利要求1所述的设备,其中第一虚设电路元件串联耦接在第一差分输入和第二节点之间,而且其中第二虚设电路元件串联耦接在第二差分输入和第一节点之间。

3.根据权利要求1所述的设备,其中第一虚设场效应晶体管具有配置成接收第一差分输入的第一源极以及电耦接至第二节点的第一漏极,而且其中第二虚设场效应晶体管具有配置成接收第二差分输入的第二源极以及电耦接至第一节点的第二漏极。

4.根据权利要求1所述的设备,其中第一虚设场效应晶体管和第二虚设场效应晶体管是与第一场效应晶体管和第二场效应晶体管的相同晶体管配置等同的实例。

5.根据权利要求1所述的设备,其中第一虚设场效应晶体管具有均不与最底层互连金属接触的源极和漏极。

6.根据权利要求1所述的设备,其中第一虚设电路元件的电容等于第一场效应晶体管在第一场效应晶体管断开时具有的源漏电容。

7.根据权利要求1所述的设备,进一步包括:

第三开关,配置成接收第三差分输入,以便在导通时提供第一节点,并且在断开时将第一节点与第三差分输入电隔离;

第四开关,配置成接收第四差分输入,以便在导通时提供第二节点,并且在断开时将第二节点与第四差分输入电隔离;

第三虚设电路元件,配置成在第二节点上注入电荷以抵消第一节点上由第三开关在第三开关断开时注入的电荷;以及

第四虚设电路元件,配置成在第一节点上注入电荷以抵消第二节点上由第四开关在第四开关断开时注入的电荷。

8.根据权利要求1所述的设备,进一步包括差分放大器,其包括电耦接至第一节点的第一输入以及电耦接至第二节点的第二输入。

9.一种电子设备,包括:

放大器,其包括非反向输入和反向输入;以及

多个通道,多个通道中的每一个都包括:

一对放大器输入开关,其包括:

第一开关,配置成接收第一开关输入,在导通时向放大器的非反向输入提供第一开关输入,以及在断开时将放大器的非反向输入与第一开关输入电隔离;以及

第二开关,配置成接收第二开关输入,在导通时向放大器的反向输入提供第二开关输入,以及在断开时将放大器的反向输入与第二开关输入电隔离;以及

交叉耦接在一对放大器输入开关的输入与放大器的输入之间的一对虚设电路元件,该对虚设电路元件的每个虚设电路元件具有与第一开关在第一开关断开时的电容相同的电容;

其中多个通道之一的该对放大器输入开关被配置成在多个通道中的其它通道的该对放大器输入开关断开时提供电荷至放大器的非反向输入和反向输入。

10.根据权利要求9所述的设备,其中设备包括交织模数转换器级,其包括放大器和多个通道。

11.根据权利要求9所述的设备,其中设备包括至少一个数模转换器,其被配置成调节第一开关输入和第二开关输入上的电荷。

12.根据权利要求9所述的设备,其中第一开关包括第一场效应晶体管,其中该对虚设电路元件的第一虚设电路元件包括具有偏置成电源轨电压的栅极的第一虚设场效应晶体管。

13.根据权利要求12所述的设备,其中第一虚设场效应晶体管包括不与最底层互连金属接触的第一源极和第一漏极。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美国亚德诺半导体公司,未经美国亚德诺半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410050586.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top