[发明专利]制造栅极绝缘层的方法在审
| 申请号： | 201410050579.2 | 申请日： | 2014-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN104851790A | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | 黄家琦;许民庆;罗易腾;李原欣 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/31 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 于宝庆;刘春生 |
| 地址： | 201500 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 栅极 绝缘 方法 | ||
1.一种制造栅极绝缘层的方法，包括：采用化学气相沉积法，在栅极上 依次沉积氮化硅层和氧化硅层，得到所述氮化硅层和所述氧化硅层顺次层叠的 栅极绝缘层，其中所述栅极为Cu栅极。
2.根据权利要求1的方法，其中沉积所述氮化硅层的温度为420～450°C， 沉积所述氧化硅层的温度为420～450°C。
3.根据权利要求2的方法，其中沉积所述氮化硅层的原料气体为甲硅 烷和氨气，沉积所述氧化硅层的原料气体为甲硅烷和一氧化二氮。
4.根据权利要求3的方法，其中所述甲硅烷和所述氨气的流量比为1:1 至1:3。
5.根据权利要求3或4的方法，其中所述甲硅烷和所述一氧化二氮的 流量比为1:1至1:3。
6.根据权利要求5的方法，还包括在沉积所述氮化硅层之前通入氮气。
7.根据权利要求6的方法，还包括在通入所述氮气之前通入氢气。
8.根据权利要求7的方法，其中所述氢气的流量为5000～8000sccm，通 入时间为5～10秒，其中所述氮气的流量为5000～8000sccm，通入时间为5～10 秒。
9.根据权利要求7的方法，还包括在沉积氮化硅层后进行去氢处理， 其中所述去氢处理是将所述氮化硅层在450～550℃下加热30～50分钟。
10.根据权利要求9的方法，还包括在所述氧化硅层上沉积有源半导 体层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
