[发明专利]一种光子晶体结构GaN基LED的制备方法

权利要求书

1.一种光子晶体结构GaN基LED的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1）在GaN基LED外延片表面蒸镀透明导电层；

2）在步骤1）生长的透明导电层上生长一层掩膜层；

3）在步骤2）生长的掩膜层上涂上压印胶，利用具有纳米结构的硬模板直接进行纳米压印，脱模后在胶体表面形成纳米结构；

4）对外延片进行残胶去除以保证胶体纳米孔状结构中的残胶均被移除；

5）对外延片进行刻蚀以除去掩膜层未被压印胶覆盖的部分，即将压印胶的纳米结构复制到掩膜层上；

6）去除掩膜层表面所有残余压印胶；

7）在外延片表面再次蒸镀与步骤1）所述相同的透明导电层；

8）去除外延片表面残余掩膜层，在透明导电层上得到光子晶体结构；

9）将上述步骤得到的光子晶体结构采用传统工艺即得到光子晶体结构GaN基LED。

2.如权利要求1所述一种光子晶体结构GaN基LED的制备方法，其特征在于在步骤1）中，所述透明导电层选自氧化铟锡、氧化锌、ZnO：Al、掺氟氧化锡、钼氧化铟、石墨烯中的一种。

3.如权利要求1所述一种光子晶体结构GaN基LED的制备方法，其特征在于在步骤2）中，所述掩膜层采用任何一种易于生长和加工的薄膜层。

4.如权利要求3所述一种光子晶体结构GaN基LED的制备方法，其特征在于在步骤2）中，所述易于生长和加工的薄膜层选自氧化硅、氮化硅、铬中的一种。

5.如权利要求1所述一种光子晶体结构GaN基LED的制备方法，其特征在于在步骤2）中，所述掩膜层的厚度大于目的光子晶体结构厚度。

6.如权利要求1所述一种光子晶体结构GaN基LED的制备方法，其特征在于在步骤4）中，所述对外延片进行残胶去除采用氧气等离子体去除。

7.如权利要求1所述一种光子晶体结构GaN基LED的制备方法，其特征在于在步骤6）中，所述去除掩膜层表面所有残余压印胶的方法，采用氧气等离子体或丙酮溶液进行处理。

8.如权利要求1所述一种光子晶体结构GaN基LED的制备方法，其特征在于在步骤7）中，所述透明导电层的蒸镀厚度小于步骤2）中所述掩膜层的厚度。