[发明专利]第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种第III族氮化物半导体发光器件，包括：具有层单元的发光层；n型半导体层；以及p型半导体层，其中：

所述层单元具有至少阱层和势垒层；

所述阱层具有第一半导体层以及布置在所述阱层的n型半导体层侧上的第二半导体层；

所述第一半导体层为包含至少In和Ga的第III族氮化物半导体层；以及

所述第二半导体层为包含至少In和Ga的掺杂Si的第III族氮化物半导体的n型半导体层。

2.根据权利要求1所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述第二半导体层布置为与所述第一半导体层相邻。

3.根据权利要求2所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中：

所述第一半导体层为非掺杂的InGaN层；以及

所述第二半导体层为n型InGaN层。

4.根据权利要求1所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中：

所述阱层具有布置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的第三半导体层；

所述第三半导体层为包含至少In和Ga的第III族氮化物半导体层；以及

所述第三半导体层的In组成比等于或低于所述第一半导体层的In组成比，并且所述第三半导体层的In组成比随着更靠近所述第一半导体层而逐渐增加。

5.根据权利要求4所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中：

所述第一半导体层为非掺杂InGaN层；

所述第二半导体层为n型InGaN层；以及

所述第三半导体层为非掺杂InGaN层。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述第二半导体层沿着厚度方向的平均In组成比Y落在所述第一半导体层的所述In组成比X的0.5%至50%的范围内。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述层单元包括：

布置为与所述第二半导体层的所述n型半导体层侧相邻的第一AlGaN层；

布置为与所述第一半导体层的所述p型半导体层侧相邻的GaN层；以及

布置为与所述GaN层的所述p型半导体层侧相邻的第二AlGaN层。

8.根据权利要求6所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述层单元包括：

布置为与所述第二半导体层的所述n型半导体层侧相邻的第一AlGaN层；

布置为与所述第一半导体层的所述p型半导体层侧相邻的GaN层；以及

布置为与所述GaN层的所述p型半导体层侧相邻的第二AlGaN层。

9.根据权利要求1至5中任一项所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述第二半导体层的Si浓度落在1×10¹⁷/cm³至3×10¹⁸/cm³的范围内。

10.根据权利要求6所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述第二半导体层的Si浓度落在1×10¹⁷/cm³至3×10¹⁸/cm³的范围内。

11.根据权利要求7所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述第二半导体层的Si浓度落在1×10¹⁷/cm³至3×10¹⁸/cm³的范围内。

12.根据权利要求1至5中任一项所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述第二半导体层的厚度落在至的范围内。

13.根据权利要求6所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述第二半导体层的厚度落在至的范围内。

14.根据权利要求9所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述第二半导体层的厚度落在至的范围内。

15.根据权利要求10所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述第二半导体层的厚度落在至的范围内。

16.根据权利要求15所述的第III族氮化物半导体发光器件，其中所述发光层具有其中多个层单元重复沉积的多量子阱结构。