[发明专利]一种单分散性中空介孔二氧化硅纳米粒子的制备方法有效

专利信息
申请号: 201410047404.6 申请日: 2014-02-11
公开(公告)号: CN103803565A 公开(公告)日: 2014-05-21
发明(设计)人: 戴李宗;毛杰;袁丛辉;谢泓辉;罗伟昂;叶华立;余世荣;陈国荣;李聪;刘新瑜;何凯斌 申请(专利权)人: 厦门大学
主分类号: C01B33/18 分类号: C01B33/18;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 代理人: 马应森
地址: 361005 *** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 分散性 中空 二氧化硅 纳米 粒子 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种单分散性中空介孔二氧化硅纳米粒子的制备方法,其特征在于包括以下步骤:

1)聚苯乙烯微球的制备:

将苯乙烯、丙烯酰胺、G570和去离子水加入反应容器中,氮气保护下升温至60~80℃,在氮气吹扫后向反应体系中加入引发剂,反应后,得到聚苯乙烯微球;

2)单分散性中空介孔二氧化硅纳米粒子的制备:

将聚苯乙烯微球溶液、阳离子表面活性剂加入PBS缓冲溶液中,超声分散后加入反应容器中,再加入正硅酸乙酯,反应后离心,将沉淀物干燥,煅烧,即得单分散性中空介孔二氧化硅纳米粒子。

2.如权利要求1所述一种单分散性中空介孔二氧化硅纳米粒子的制备方法,其特征在于在步骤1)中,所述苯乙烯、丙烯酰胺、G570、去离子水和引发剂的配比为(15~25)ml∶(1~4)ml∶(0.01~0.05)ml∶(400~600)ml∶(0.2~1.0)g,其中苯乙烯、丙烯酰胺、G570、去离子水以体积计算,引发剂以质量计算。

3.如权利要求1所述一种单分散性中空介孔二氧化硅纳米粒子的制备方法,其特征在于在步骤1)中,所述氮气吹扫的时间为30min。

4.如权利要求1所述一种单分散性中空介孔二氧化硅纳米粒子的制备方法,其特征在于在步骤1)中,所述引发剂选自过硫酸钾或过硫酸铵。

5.如权利要求1所述一种单分散性中空介孔二氧化硅纳米粒子的制备方法,其特征在于在步骤1)中,所述反应的时间为24h。

6.如权利要求1所述一种单分散性中空介孔二氧化硅纳米粒子的制备方法,其特征在于在步骤2)中,所述聚苯乙烯微球溶液、阳离子表面活性剂、PBS缓冲溶液和正硅酸乙酯的配比为(0.5~2)ml∶(0.03~0.09)g∶(40~60)ml∶(0.1~0.3)ml,其中,聚苯乙烯微球溶液、PBS缓冲溶液和正硅酸乙酯以体积计算,阳离子表面活性剂以质量计算。

7.如权利要求1所述一种单分散性中空介孔二氧化硅纳米粒子的制备方法,其特征在于在步骤2)中,所述阳离子表面活性剂选自十六烷基三甲基溴化铵或十六烷基三甲基氯化铵。

8.如权利要求1所述一种单分散性中空介孔二氧化硅纳米粒子的制备方法,其特征在于在步骤2)中,所述PBS缓冲溶液的pH值为7.4。

9.如权利要求1所述一种单分散性中空介孔二氧化硅纳米粒子的制备方法,其特征在于在步骤2)中,所述超声分散的时间为30min;所述反应的温度可为50~70℃,反应的时间可为4~8h。

10.如权利要求1所述一种单分散性中空介孔二氧化硅纳米粒子的制备方法,其特征在于在步骤2)中,所述沉淀物干燥的条件为在50℃的下干燥处理1.5h;所述煅烧的条件可为在550℃下煅烧处理6h。

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