[发明专利]集成电路板、集成电路金属层的测试装置及方法

权利要求书

1.一种集成电路板，包括划片槽，其特征在于，还包括位于所述划片槽内的集成电路金属层的测试结构，所述测试结构包括：

第一条形多晶硅电阻，以及位于所述第一条形多晶硅电阻上并与第一条形多晶硅电阻交叉而置的金属板，所述金属板的长度和宽度均不小于10微米；

第二条形多晶硅电阻，以及位于所述第二条形多晶硅电阻上并与第二条形多晶硅电阻交叉而置的多个金属条，所述多个金属条平行间隔排列，所述金属条的宽度不大于3微米；

所述金属板、金属条与集成电路金属层位于同一层且同层制作。

2.如权利要求1所述的集成电路板，其特征在于，所述金属板一组相对的边平行于所述第一条形多晶硅电阻的长度方向且超出第一条形多晶硅电阻对应的边的长度相等；所述金属条与所述第二条形多晶硅电阻正交设置。

3.如权利要求2所述的集成电路板，其特征在于，沿所述第一条形多晶硅电阻的宽度方向，所述金属板的边超出第一条形多晶硅电阻对应的边3微米以上。

4.如权利要求2所述的集成电路板，其特征在于，沿所述第一条形多晶硅电阻的长度方向，所述金属板的覆盖长度不小于所述第一条形多晶硅电阻的长度的80％。

5.如权利要求1所述的集成电路板，其特征在于，所述多个金属条的宽度之和等于所述金属板沿所述第一条形多晶硅电阻的长度方向的长度。

6.如权利要求1所述的集成电路板，其特征在于，所述第一条形多晶硅电阻和第二条形多晶硅电阻为轻掺杂的多晶硅，所述第一条形多晶硅电阻和第二条形多晶硅电阻的方块电阻的阻值的范围分别为200～5000欧姆/方块。

7.一种应用如权利要求1～6任一项所述的集成电路板的集成电路金属层测试装置，其特征在于，包括：

阻值检测装置，用于检测所述第一条形多晶硅电阻和第二条形多晶硅电阻的方块电阻阻值，得到第一阻值和第二阻值；

控制装置，与所述阻值检测装置信号连接，用于根据第一阻值和第二阻值的相对变化确定集成电路金属层是否出现异常。

8.如权利要求7所述的集成电路金属层测试装置，其特征在于，所述控制装置包括：

比例计算器，用于计算第一阻值和第二阻值的比值；

比较器，与所述比例计算器信号连接，用于比较所述比值是否超出设定范围；

处理器，与所述比较器信号连接，用于当所述比值超出设定范围时，确定集成电路金属层出现异常。

9.一种应用如权利要求1～6任一项所述的集成电路板的集成电路金属层的测试方法，其特征在于，包括：

分别测试所述第一条形多晶硅电阻和第二条形多晶硅电阻的方块电阻阻值，得到第一阻值和第二阻值；

根据第一阻值和第二阻值的相对变化确定金属层是否出现异常。

10.如权利要求9所述的集成电路板的集成电路金属层的测试方法，其特征在于，所述根据第一阻值和第二阻值的相对变化确定金属层出现异常，具体包括：

计算所述第一阻值与第二阻值的比值；

当所述比值超出设定范围时，确定集成电路金属层出现异常。