[发明专利]晶片封装结构及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201410046344.6 申请日: 2014-02-10
公开(公告)号: CN103985684A 公开(公告)日: 2014-08-13
发明(设计)人: 刘建宏;温英男 申请(专利权)人: 精材科技股份有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 中国台湾桃园县中*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 晶片 封装 结构 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种晶片封装结构,其特征在于,包含:

一晶片,其一表面具有多个焊垫;

一间隔单元,设置于该晶片的该表面上,且位于所述焊垫之间,其中所述间隔单元围绕该晶片的一有源区;

一板体,位于该间隔单元上,且使一空间形成于该板体、该间隔单元与该晶片之间;

多个第一导体,分别电性接触所述焊垫;

一封装胶,覆盖于该晶片的该表面上,且该板体与所述第一导体包覆于该封装胶中;

多个第一导电层,位于该封装胶相对该晶片的表面上,且分别电性接触所述第一导体;

一绝缘层,位于该封装胶与所述第一导电层上;以及

多个第一电极,分别电性接触所述第一导电层,且凸出于该绝缘层。

2.根据权利要求1所述的晶片封装结构,其特征在于,每一该第一导电层具有一延伸部,所述延伸部位于该封装胶中,且分别电性接触所述第一导体。

3.根据权利要求1所述的晶片封装结构,其特征在于,该板体为玻璃板或另一晶片。

4.根据权利要求1所述的晶片封装结构,其特征在于,所述第一导体的材质包含铜或金。

5.根据权利要求1所述的晶片封装结构,其特征在于,所述第一导电层的材质包含铝或铜。

6.根据权利要求1所述的晶片封装结构,其特征在于,所述第一电极为锡球。

7.根据权利要求1所述的晶片封装结构,其特征在于,该封装胶的材质包含环氧化物。

8.根据权利要求1所述的晶片封装结构,其特征在于,还包含:

一屏蔽层,位于该板体相对该晶片的表面上;

一第二导体,电性接触该屏蔽层,且与该屏蔽层包覆于该封装胶中;

一第二导电层,位于该封装胶相对该晶片的表面上,且电性接触该第二导体;以及

一第二电极,电性接触该第二导电层,且凸出于该绝缘层。

9.根据权利要求8所述的晶片封装结构,其特征在于,该屏蔽层的材质包含铝或铜。

10.根据权利要求8所述的晶片封装结构,其特征在于,该第二导体的材质包含铜或金。

11.根据权利要求8所述的晶片封装结构,其特征在于,该第二导电层的材质包含铝或铜。

12.根据权利要求8所述的晶片封装结构,其特征在于,该第二电极为锡球。

13.一种晶片封装结构的制作方法,其特征在于,包含下列步骤:

(a)提供一晶圆与一板体,其中该板体通过多个间隔单元设置于该晶圆的一表面上;

(b)于该晶圆的多个焊垫上分别固定多个第一导体;

(c)于该晶圆的该表面上形成一封装胶覆盖,使该板体与所述第一导体包覆于该封装胶中;

(d)研磨该封装胶相对该晶圆的表面;

(e)于该封装胶上形成多个开口,使所述第一导体露出;

(f)于研磨后的该封装胶的该表面上形成多个第一导电层,使所述第一导电层分别电性接触所述第一导体;

(g)于该封装胶与所述第一导电层上形成一绝缘层;以及

(h)于该绝缘层中固定多个第一电极,使所述第一电极分别电性接触所述第一导电层且凸出于该绝缘层。

14.根据权利要求13所述的晶片封装结构的制作方法,其特征在于,还包含:

于该板体相对该晶圆的表面上形成一屏蔽层。

15.根据权利要求14所述的晶片封装结构的制作方法,其特征在于,还包含:

于该屏蔽层上固定一第二导体,使该第二导体电性接触该屏蔽层。

16.根据权利要求15所述的晶片封装结构的制作方法,其特征在于,还包含:

于研磨后的该封装胶的该表面上形成一第二导电层,使该第二导电层电性接触该第二导体。

17.根据权利要求16所述的晶片封装结构的制作方法,其特征在于,还包含:

于该绝缘层中固定一第二电极,使该第二电极电性接触该第二导电层且凸出于该绝缘层。

18.根据权利要求13所述的晶片封装结构的制作方法,其特征在于,还包含:

切割该晶圆,使该晶圆形成多个晶片。

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