[发明专利]晶片封装结构及其制作方法在审
申请号: | 201410046344.6 | 申请日: | 2014-02-10 |
公开(公告)号: | CN103985684A | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
发明(设计)人: | 刘建宏;温英男 | 申请(专利权)人: | 精材科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L21/60 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 中国台湾桃园县中*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 封装 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种晶片封装结构,其特征在于,包含:
一晶片,其一表面具有多个焊垫;
一间隔单元,设置于该晶片的该表面上,且位于所述焊垫之间,其中所述间隔单元围绕该晶片的一有源区;
一板体,位于该间隔单元上,且使一空间形成于该板体、该间隔单元与该晶片之间;
多个第一导体,分别电性接触所述焊垫;
一封装胶,覆盖于该晶片的该表面上,且该板体与所述第一导体包覆于该封装胶中;
多个第一导电层,位于该封装胶相对该晶片的表面上,且分别电性接触所述第一导体;
一绝缘层,位于该封装胶与所述第一导电层上;以及
多个第一电极,分别电性接触所述第一导电层,且凸出于该绝缘层。
2.根据权利要求1所述的晶片封装结构,其特征在于,每一该第一导电层具有一延伸部,所述延伸部位于该封装胶中,且分别电性接触所述第一导体。
3.根据权利要求1所述的晶片封装结构,其特征在于,该板体为玻璃板或另一晶片。
4.根据权利要求1所述的晶片封装结构,其特征在于,所述第一导体的材质包含铜或金。
5.根据权利要求1所述的晶片封装结构,其特征在于,所述第一导电层的材质包含铝或铜。
6.根据权利要求1所述的晶片封装结构,其特征在于,所述第一电极为锡球。
7.根据权利要求1所述的晶片封装结构,其特征在于,该封装胶的材质包含环氧化物。
8.根据权利要求1所述的晶片封装结构,其特征在于,还包含:
一屏蔽层,位于该板体相对该晶片的表面上;
一第二导体,电性接触该屏蔽层,且与该屏蔽层包覆于该封装胶中;
一第二导电层,位于该封装胶相对该晶片的表面上,且电性接触该第二导体;以及
一第二电极,电性接触该第二导电层,且凸出于该绝缘层。
9.根据权利要求8所述的晶片封装结构,其特征在于,该屏蔽层的材质包含铝或铜。
10.根据权利要求8所述的晶片封装结构,其特征在于,该第二导体的材质包含铜或金。
11.根据权利要求8所述的晶片封装结构,其特征在于,该第二导电层的材质包含铝或铜。
12.根据权利要求8所述的晶片封装结构,其特征在于,该第二电极为锡球。
13.一种晶片封装结构的制作方法,其特征在于,包含下列步骤:
(a)提供一晶圆与一板体,其中该板体通过多个间隔单元设置于该晶圆的一表面上;
(b)于该晶圆的多个焊垫上分别固定多个第一导体;
(c)于该晶圆的该表面上形成一封装胶覆盖,使该板体与所述第一导体包覆于该封装胶中;
(d)研磨该封装胶相对该晶圆的表面;
(e)于该封装胶上形成多个开口,使所述第一导体露出;
(f)于研磨后的该封装胶的该表面上形成多个第一导电层,使所述第一导电层分别电性接触所述第一导体;
(g)于该封装胶与所述第一导电层上形成一绝缘层;以及
(h)于该绝缘层中固定多个第一电极,使所述第一电极分别电性接触所述第一导电层且凸出于该绝缘层。
14.根据权利要求13所述的晶片封装结构的制作方法,其特征在于,还包含:
于该板体相对该晶圆的表面上形成一屏蔽层。
15.根据权利要求14所述的晶片封装结构的制作方法,其特征在于,还包含:
于该屏蔽层上固定一第二导体,使该第二导体电性接触该屏蔽层。
16.根据权利要求15所述的晶片封装结构的制作方法,其特征在于,还包含:
于研磨后的该封装胶的该表面上形成一第二导电层,使该第二导电层电性接触该第二导体。
17.根据权利要求16所述的晶片封装结构的制作方法,其特征在于,还包含:
于该绝缘层中固定一第二电极,使该第二电极电性接触该第二导电层且凸出于该绝缘层。
18.根据权利要求13所述的晶片封装结构的制作方法,其特征在于,还包含:
切割该晶圆,使该晶圆形成多个晶片。
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