[发明专利]实现基极电流补偿的无运放内部电源结构

权利要求书

1.一种实现基极电流补偿的无运放内部电源结构，其特征在于，所述的电源结构包括：

带隙基准电压生成模块，用以生成带隙基准电压；

基极电流补偿模块，用以生成与所述的消耗基极电流大小相同的镜像电流并将所述的镜像电流反馈至所述的带隙基准电压生成模块中三极管的基极。

2.根据权利要求1所述的实现基极电流补偿的无运放内部电源结构，其特征在于，所述的带隙基准电压生成模块包括共基极连接的第一三极管和第二三极管、电流镜、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻，所述的第一三极管和第二三极管的集电极连接所述的电流镜，所述的第一三极管的发射极通过所述的第二电阻接地，所述的第二三极管的发射极通过所述的第一电阻和第二电阻接地，所述的第三电阻的第一端与所述的第二三极管的集电极相连接，所述的第三电阻的第二端与所述的第四电阻的第一端相连接，所述的第四电阻的第二端接地，所述的第三电阻的第二端与所述的第一三极管、第二三极管的基极相连接，所述的第三电阻的第一端输出带隙基准电压。

3.根据权利要求2所述的实现基极电流补偿的无运放内部电源结构，其特征在于，所述的带隙基准电压生成模块还包括调整器件，所述的调整器件连接于所述的第二三极管的集电极和所述的第三电阻的第一端之间。

4.根据权利要求2所述的实现基极电流补偿的无运放内部电源结构，其特征在于，所述的基极电流补偿模块包括第三三极管、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管和第十MOS管，所述的第三三极管连接于所述的第三电阻的第二端，所述的第三三极管的发射极通过所述的第二电阻接地，所述的第三MOS管和第四MOS管共栅极连接，所述的第三MOS管连接于所述的第二MOS管的漏极和接地端之间，所述的第四MOS管的漏极分别连接所述的第四三极管的发射极和第六MOS管的漏极，所述的第一MOS管、第二MOS管和第五MOS管共栅极连接，所述的第一MOS管连接于所述的第三电阻的第一端和第三三极管的集电极之间，所述的第五MOS管连接于所述的第三电阻的第一端和第四三极管的集电极之间，所述的第七MOS管和第八MOS管共栅极连接，所述的第九MOS管和第十MOS管共栅极连接，所述的第七MOS管通过所述的第九MOS管连接所述的第四三极管的基极，所述的第八MOS管通过所述的第十MOS管与所述的第三电阻的第二端相连接。

5.根据权利要求4所述的实现基极电流补偿的无运放内部电源结构，其特征在于，所述的基极电流补偿模块还包括第六MOS管，所述的第六MOS管的栅极与所述的第四三极管的集电极相连接，所述的第六MOS管的源极与所述的第三电阻的第一端相连接，所述的第六MOS管的漏极与所述的第四三极管的发射极相连接。

6.根据权利要求4所述的实现基极电流补偿的无运放内部电源结构，其特征在于，所述的第八MOS管的宽比长为所述的第七MOS管的宽比长的三倍。

7.根据权利要求4所述的实现基极电流补偿的无运放内部电源结构，其特征在于，所述的第四MOS管、第四三极管、第六MOS管、第七MOS管、第九MOS管的电压满足以下公式：

V_REF-V_GS7-V_GS9＜V_REF-V_GS6

V_REF-V_GS7-V_GS9-V_BE4＞V_DS4；

其中，V_REF为所述的带隙基准电压生成模块的输出电压，V_BE4为第四三极管基极和发射极之间的电压值，V_DS4为第四MOS管漏极和源极之间的电压值，V_GS6为第六MOS管栅极和源极之间的电压值，V_GS7为第七MOS管栅极和源极之间的电压值，V_GS9为第九MOS管栅极和源极之间的电压值。