[发明专利]扇出型方片级封装的制作工艺有效
| 申请号: | 201410045900.8 | 申请日: | 2014-02-08 |
| 公开(公告)号: | CN103762183B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
| 发明(设计)人: | 陈峰;耿菲 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人: | 殷红梅 |
| 地址: | 214000 江苏省无锡市新区太湖国*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 扇出型方片级 封装 制作 工艺 | ||
1.一种扇出型方片级封装的制作工艺,其特征在于,包括下述步骤:
步骤一,提供承载片(101),在承载片(101)上贴覆粘结胶(102);
步骤二,将芯片(103)正贴到粘结胶(102)上;
步骤三,在承载片(101)上贴有芯片(103)的那一面上涂覆第二类绝缘树脂(104),第二类绝缘树脂(104)填充芯片(103)之间的沟槽,第二类绝缘树脂(104)的高度不高于芯片(103)顶部的高度;
步骤四,在承载片(101)上贴有芯片(103)的那一面上涂覆第一类感光树脂(107),第一类感光树脂(107)将芯片(103)覆盖住;
步骤五,在第一类感光树脂(107)中形成通向芯片焊盘(106)的导通孔(108);
步骤六,在导通孔(108)中和第一类感光树脂(107)上沉积一层种子层(109);在种子层(109)上涂覆光刻胶(110),然后使得光刻胶(110)上显露出用于制作电镀线路(111)的图形,使用电镀的方法,在显露出的图形区域中形成电连接芯片焊盘(106)的电镀线路(111);
步骤七,去除光刻胶(110)和光刻胶底部的种子层(109),保留电镀线路(111)底部的种子层(109);在承载片(101)上涂覆一层阻焊油墨(113),使得阻焊油墨(113)覆盖电镀线路(111);
然后在阻焊油墨(113)上显露出电镀线路(111)上的金属焊盘(112)。
2.步骤八,在金属焊盘(112)上形成焊球(114)。
3.如权利要求1所述的扇出型方片级封装的制作工艺,其特征在于:
所述步骤一中,承载片(101)为矩形,材料为玻璃、金属板或有机基板。
4.如权利要求1所述的扇出型方片级封装的制作工艺,其特征在于:
所述步骤三中,第二类绝缘树脂(104)为包含环氧树脂、亚克力树脂、酚醛树脂或三嗪树脂成分的增层材料、底填料或塑封材料。
5.如权利要求1所述的扇出型方片级封装的制作工艺,其特征在于:
所述步骤三中,涂覆第二类绝缘树脂(104)采用的工艺是丝网印刷、狭缝涂覆、喷墨打印、真空压合、点胶或压印。
6.如权利要求1所述的扇出型方片级封装的制作工艺,其特征在于:
所述步骤三中,第二类绝缘树脂(104)顶部低于芯片(103)顶部0~15微米。
7.如权利要求1所述的扇出型方片级封装的制作工艺,其特征在于:
所述步骤四中,第一类感光树脂(107)包括BCB、PBO、PSPI、聚酰亚胺、感光型环氧树脂或干膜。
8.如权利要求1所述的扇出型方片级封装的制作工艺,其特征在于:
所述步骤四中,涂覆第一类感光树脂(107)采用的工艺包括旋涂、喷涂、滚涂、丝网印刷、狭缝涂覆、喷墨打印、滚压或真空压合。
9.如权利要求1所述的扇出型方片级封装的制作工艺,其特征在于:
所述步骤六中,通过溅射金属或化学沉铜工艺,在导通孔(108)中和第一类感光树脂(107)上沉积种子层(109)。
10.如权利要求1所述的扇出型方片级封装的制作工艺,其特征在于:
所述步骤八中,通过植球、印刷、电镀或化学镀工艺形成焊球(114)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司,未经华进半导体封装先导技术研发中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410045900.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





