[发明专利]TSV盲孔的制作方法有效
| 申请号： | 201410045878.7 | 申请日： | 2014-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN104835776B | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 丁敬秀 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tsv 制作方法 | ||
1.一种TSV盲孔的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
S1：提供一硅基板，在所述硅基板表面形成一掩膜层并图形化，形成TSV盲孔掩模图形；
S2：以氟的等离子气体干法刻蚀所述硅基板正面并持续第一预设时间，然后再用碳氟等离子气体对刻蚀表面进行钝化并持续第二预设时间；
S3：重复步骤S2若干次，循环地进行刻蚀和钝化交替加工，直至刻蚀深度到达预设深度，形成若干TSV盲孔；
S4：将步骤S3获得的结构浸泡在各向异性碱性蚀刻液中进行清洗，所述各向异性碱性蚀刻液采用TMAH溶液或NH4OH溶液，且清洗过程中，在各晶向上蚀刻速率(110)>(100)>(111)。
2.根据权利要求1所述的TSV盲孔的制作方法，其特征在于：所述各向异性碱性蚀刻液为TMAH溶液。
3.根据权利要求2所述的TSV盲孔的制作方法，其特征在于：所述TMAH溶液的浓度范围是1wt％～5wt％，温度范围是15～50℃，清洗时间是5～30分钟。
4.根据权利要求2所述的TSV盲孔的制作方法，其特征在于：所述TMAH溶液的浓度是2.7wt％，温度是30℃，清洗时间是10分钟。
5.根据权利要求1所述的TSV盲孔的制作方法，其特征在于：所述各向异性碱性蚀刻液为NH4OH溶液。
6.根据权利要求1所述的TSV盲孔的制作方法，其特征在于：所述NH4OH溶液的浓度范围是0.01wt％～5wt％，温度范围是15～50℃，清洗时间是1～30分钟。
7.根据权利要求6所述的TSV盲孔的制作方法，其特征在于：所述NH4OH溶液的浓度是0.05wt％，温度是30℃，清洗时间是5分钟。
8.根据权利要求1所述的TSV盲孔的制作方法，其特征在于：于所述步骤S3中，所述TSV盲孔侧壁表面形成有环形扇贝花纹；于所述步骤S4中采用各向异性碱性蚀刻液中进行清洗后，所述TSV盲孔侧壁表面的环形扇贝花纹的高度小于10纳米。
9.根据权利要求1所述的TSV盲孔的制作方法，其特征在于：于所述步骤S4后进一步采用去离子水清洗。
10.根据权利要求1所述的TSV盲孔的制作方法，其特征在于：于所述步骤S4后，还包括在所述TSV盲孔侧壁表面形成阻挡仔晶层的步骤。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯集成电路（宁波）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯集成电路（宁波）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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