[发明专利]一种制作半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201410045868.3 | 申请日： | 2014-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN104835726A | 公开（公告）日： | 2015-08-12 |
| 发明（设计）人： | 陈勇;平延磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体器件 方法 | ||
1.一种制作半导体器件的方法，包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成虚拟栅极，
其中所述虚拟栅极包括虚拟栅极材料层、覆盖层和高K介电层；
在所述半导体衬底上形成层间介电层，所述层间介电层的顶部和所述虚拟栅极的顶部齐平；
去除所述虚拟栅极材料层，以露出所述覆盖层；
在所述半导体衬底上依次形成功函数金属层、阻挡层、多晶硅层和金属层；
执行热处理工艺，以使所述多晶硅层和所述金属层反应形成金属硅化物层；
执行平坦化工艺，以露出所述层间介电层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用CVD工艺或者熔炉工艺形成所述多晶硅层。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属层的材料为镍、钴或者铂中的一种或者几种。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热处理工艺的反应温度为300℃至600℃，所述热处理工艺的反应时间为10s至3600s，在通入氮气或者氩气的条件下执行所述热处理工艺。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述功函数金属层为N型功函数金属层或者P型功函数金属层。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，采用ALD工艺或者PVD工艺形成所述P型功函数金属层，所述P型功函数金属层的厚度为10埃至200埃，所述P型功函数金属层为TiN层、TaN层或者TaN和TiN组成的金属层。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，采用ALD工艺或者PVD工艺形成所述N型功函数金属层，所述N型功函数金属层的厚度为10埃至200埃，所述N型功函数金属层为TiAl层、Ti和Al组成的金属层或者Al和TiN组成的金属层。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用ALD工艺或者PVD工艺形成所述阻挡层，所述阻挡层的材料为TaN或者TiN，所述阻挡层的厚度为20埃至80埃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
