[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成腔体层；

在所述腔体层中形成空腔；

在空腔内填充牺牲层；

在牺牲层上方形成通孔结构，所述通孔结构具有露出牺牲层的通孔；

去除所述牺牲层；

在空腔内填充牺牲层的步骤包括：在所述腔体层表面旋涂溶解有聚碳酸亚丙酯材料的苯甲醚溶液，使所述苯甲醚溶液填充至空腔内部；

使苯甲醚溶液蒸发，在空腔内部以及腔体层表面形成聚碳酸亚丙酯材料层；

去除腔体层上表面的聚碳酸亚丙酯材料层，保留位于空腔内部的聚碳酸亚丙酯材料层，位于空腔内部的聚碳酸亚丙酯材料层为所述牺牲层。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述半导体结构位于运动传感器中，在形成腔体层之前，还包括：

在所述衬底表面覆盖第一介电层。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，在所述腔体层中形成空腔的步骤包括：对所述腔体层进行刻蚀，形成空腔，所述空腔底部露出所述第一介电层。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述半导体结构位于运动传感器中，所述腔体层材料为铝，用作所述运动传感器的固定电极。

5.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，在形成空腔之后，形成通孔结构之前，还包括：

在所述空腔内壁、空腔底部以及腔体层表面形成第二介电层，用于使所述固定电极绝缘。

6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，使苯甲醚溶液蒸发的步骤包括：蒸发苯甲醚溶液的温度在70摄氏度到150摄氏度的范围内。

7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述半导体结构位于运动传感器中，提供衬底的步骤包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆作为作为衬底；

在牺牲层上方形成通孔结构的步骤包括：

在所述第一晶圆上键合第二晶圆；

对第二晶圆进行减薄处理，在空腔上方的第二晶圆中形成露出所述牺牲层的多个通孔，所述多个通孔构成所述通孔结构。

8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除所述牺牲层的步骤包括：通过热处理去除所述空腔内的聚碳酸亚丙酯材料层。

9.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，进行热处理步骤中，温度在200摄氏度到300摄氏度的范围内。