[发明专利]半导体器件和用于制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种器件，包括：

半导体芯片，包括第一主面和第二主面，所述第二主面为所述半导体芯片的背侧，其中所述第二主面包括第一区域和第二区域，所述第二区域为所述第二主面的外围区域；

介电材料，布置在所述第二区域之上；以及

导电材料，布置在所述第一区域之上。

2.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一主面包括掺杂区域、电学部件和集成电路中的至少一个。

3.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一区域具有为所述第二主面的整个区域的至少80%的区域。

4.根据权利要求1所述的器件，其中所述半导体芯片的在所述第一区域处的水平面不同于所述半导体芯片的在所述第二区域处的水平面。

5.根据权利要求1所述的器件，其中所述介电材料的面向远离所述半导体芯片的表面和所述导电材料的面向远离所述半导体芯片的表面被布置在共同平面中。

6.根据权利要求1所述的器件，其中所述介电材料的面向远离所述半导体芯片的表面和所述导电材料的面向远离所述半导体芯片的表面具有不同的水平面。

7.根据权利要求1所述的器件，进一步包括布置在所述第二区域下方的底切。

8.根据权利要求1所述的器件，其中所述介电材料包括聚合物、氮化物、氧化物或低温氧化物。

9.根据权利要求1所述的器件，其中所述介电材料包括具有宽度在10微米和30微米之间的条带。

10.根据权利要求1所述的器件，其中所述导电材料包括金属浆料。

11.根据权利要求1所述的器件，其中所述导电材料包括多个导电层的堆叠。

12.根据权利要求1所述的器件，其中所述半导体芯片包括功率半导体芯片，并且所述导电材料电耦合到所述功率半导体芯片的电极。

13.一种器件，包括：

半导体芯片，包括第一主面和第二主面；

其中所述第二主面为所述半导体芯片的背侧；

其中所述第二主面包括第一区域和第二区域，所述第二区域为所述第二主面的外围区域；以及

其中所述半导体芯片在所述第一区域处的材料结构不同于所述半导体芯片在所述第二区域处的材料结构。

14.根据权利要求13所述的器件，其中所述半导体芯片在所述第一区域处的材料结构包括第一晶体结构，并且所述半导体芯片在所述第二区域处的材料结构包括不同于所述第一晶体结构的第二晶体结构。

15.根据权利要求13所述的器件，其中所述半导体芯片在所述第一区域处的材料结构基本为单晶，并且所述半导体芯片在所述第二区域处的材料结构基本为多晶。

16.根据权利要求13所述的器件，进一步包括布置在所述第一区域之上的导电材料。

17.一种器件，包括：

半导体芯片，包括第一主面和第二主面，所述第二主面为所述半导体芯片的背侧，其中所述第二主面包括第一区域和第二区域，所述第二区域为所述第二主面的外围区域，并且其中所述第一区域的水平面不同于所述第二区域的水平面；以及

导电材料，布置在所述第一区域之上。

18.一种方法，包括：

提供半导体晶片，所述半导体晶片包括第一主面和第二主面，其中所述第二主面为所述半导体晶片的背侧；

激光切片所述半导体晶片；以及

在激光切片所述半导体晶片之后，将导电材料布置在所述第二主面之上。

19.根据权利要求18所述的方法，其中：

所述第一主面包括第一裸片、第二裸片和布置在所述第一裸片和所述第二裸片之间的外围区域，

所述第二主面包括第一区域和第二区域，所述第一区域与所述第一裸片和所述第二裸片相对布置，所述第二区域与所述外围区域相对布置，以及

所述导电材料布置在所述第一区域之上。

20.根据权利要求19所述的方法，进一步包括：在布置所述导电材料之前，将介电材料布置在所述第一区域和所述第二区域之上。

21.根据权利要求20所述的方法，进一步包括：增加在所述第二区域之上的介电材料的密度。