[发明专利]真空处理装置及其运转方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种真空处理装置及其运转方法，尤其涉及一种连结多个真空搬运室而构成的真空处理装置以及适于该真空处理装置的运转方法。

背景技术

作为现有的真空处理装置，本申请人在专利文献1公开了一种真空处理装置，如专利文献1所述，其具备：在真空搬运室内搬运晶片的第一以及第二真空搬运室；与这样的真空搬运室分别连结的第一以及第二真空处理容器；在第一以及第二真空搬运室之间连结且可在内部收纳晶片的真空搬运中间室；连结于第一真空搬运室且内部连通的锁止室；以及配置在第一以及第二真空搬运室与第一真空处理容器、第二真空处理容器、真空搬运中间室容器以及锁止室的各自之间且气密地开闭的多个阀，在将第一真空处理容器的处理容器与第一真空搬运室的真空搬运室之间或第二真空处理容器的处理容器与第二真空搬运室的真空搬运室之间的阀开放之前，将在第一以及第二真空搬运室之间配置的阀的任一个闭塞，由此得到可靠性高的真空处理装置。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-138542号公报

在上述的现有技术中，当在各处理容器或者搬运室内处理或者由真空搬运机器人搬运晶片的情况下，处理容器或者搬运晶片的搬运室在与其他的处理容器或者搬运室之间配置的阀的作用下，与其他的处理容器或者搬运室被完全分离而独立，且能够进行压力控制。在现有技术中，通过形成这样的结构，能够防止环境气体从处理容器流出而导致装置或者晶片的二次污染。

但是，在上述的现有技术中，对下述这样的点考虑不足而存在问题。即，经中间的容器连结多个真空搬运室，在晶片搬运期间，通过配置于中间的容器的阀将各个搬运室分离，在进行控制使得多个处理容器不同时连通的情况下，没有充分考虑在真空搬运室与中间的容器之间配置的阀的开闭时间所引起的晶片的搬运待机时间所带来的装置整体的生产率下降，有损真空处理装置的每设置面积的生产量。

发明内容

因此，本发明的目的在于，提供一种每设置面积的生产率高的半导体制造装置的运转方法。

本发明的真空处理装置，其特征在于，具备：经真空搬运中间室而连结的多个真空搬运室；以及与该真空搬运室分别连结且在内部具有处理试料的处理室的多个真空处理容器，在各个所述真空搬运室的内部相对于所述真空处理容器内的所述处理室搬入或搬出所述试料，所述真空处理装置具备控制器，其在经所述真空搬运中间室使所述多个真空搬运室连通、并使所述多个真空搬运室之中的任一个真空搬运室的排气停止的状态下，向所述一个真空搬运室供给吹扫气体，从其他的所述真空搬运室内将所述吹扫气体排气。

进而，本发明的真空处理装置的特征在于，相比于所述真空搬运室的减压压力，所述多个真空处理室的处理室内压力更低。

另外，本发明的真空处理装置的特征在于，具备：在大气搬运部的背面侧与所述大气搬运部连结而配置的锁止室；在该锁止室的背面侧与所述锁止室连结而配置，在减压后的内部的搬运室内搬运试料的第一真空搬运容器；向该第一真空搬运容器供给惰性气体的第一惰性气体供给装置；与所述第一真空搬运容器连结的第一真空排气装置；与所述第一真空搬运容器连结而配置，在减压后的内部的处理室内处理试料的第一处理容器；在所述第一真空搬运容器的背面侧与所述第一真空搬运容器连结而配置的真空搬运中间室；在该真空搬运中间室的背面侧与所述真空搬运中间室连结而配置，在减压后的内部的搬运室内搬运试料的第二真空搬运容器；向该第二真空搬运容器供给惰性气体的第二惰性气体供给装置；与所述第二真空搬运容器连结的第二真空排气装置；以及与所述第二真空搬运容器连结而配置，在减压后的内部的处理室内处理试料的第二处理容器，其中，所述真空处理装置具备控制器，所述控制器在打开与所述真空搬运中间室相连的闸阀而将所述第一真空搬运容器以及第二真空搬运容器之间通过所述真空搬运中间室连通的状态下，停止从所述第二惰性气体供给装置供给气体并停止基于第一真空排气装置的真空排气，而从所述第一惰性气体供给装置向所述第一真空搬运容器供给惰性气体，由所述第二真空排气装置从所述第二真空搬运容器内对所述惰性气体进行排气。